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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
592812SJ327-ZUTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De P-canal de COMMUTATIONNEC
592822SJ327-Z-E1type de perfectionnement de P-canalNEC
592832SJ327-Z-E2type de perfectionnement de P-canalNEC
592842SJ327-Z-T1type de perfectionnement de P-canalNEC
592852SJ327-Z-T2type de perfectionnement de P-canalNEC
592862SJ328UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De P-canal de COMMUTATIONNEC
592872SJ328-Stype de perfectionnement de P-canalNEC
592882SJ328-ZUTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De P-canal de COMMUTATIONNEC
592892SJ328-Z-E1type de perfectionnement de P-canalNEC
592902SJ328-Z-E2type de perfectionnement de P-canalNEC
592912SJ329UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De P-canal de COMMUTATIONNEC
592922SJ330UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De P-canal de COMMUTATIONNEC
592932SJ331UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De P-canal de COMMUTATIONNEC
592942SJ334Convertisseur de DC de C.c du type de MOS de la Manche du silicium P de transistor à effet de champ (L2-pi-MOSV), applications d'entraînement de relais et d'entraînement de moteurTOSHIBA
592952SJ337Applications Très À grande vitesse De CommutationSANYO
592962SJ338Application D'Amplificateur De Puissance De Fréquence Sonore De Type de MOS De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champTOSHIBA
592972SJ339Applications De Commutation D'Ultra-haut-Vitesse de Transistor MOSFET De Silicium De P-CanalSANYO
592982SJ340Applications De Commutation D'Ultra-haut-Vitesse de Transistor MOSFET De Silicium De P-CanalSANYO
592992SJ342Applications À grande vitesse D'Analogue D'Applications De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champTOSHIBA



593002SJ343Applications À grande vitesse D'Analogue D'Applications De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champTOSHIBA
593012SJ344Applications À grande vitesse D'Analogue D'Applications De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champTOSHIBA
593022SJ345Applications À grande vitesse D'Analogue D'Applications De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champTOSHIBA
593032SJ346Applications À grande vitesse D'Analogue D'Applications De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champTOSHIBA
593042SJ347Applications À grande vitesse D'Analogue D'Applications De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champTOSHIBA
593052SJ348Hauts Transistors MOSFET De RendementSANYO
593062SJ349Convertisseur de DC de C.c du type de MOS de la Manche du silicium P de transistor à effet de champ (L2-pi-MOSV), applications d'entraînement de relais et d'entraînement de moteurTOSHIBA
593072SJ350FET de MOS De P-Canal De SiliciumHitachi Semiconductor
593082SJ350FET de MOS De P-Canal De SiliciumHitachi Semiconductor
593092SJ350Transistors&gt;Switching/MOSFETsRenesas
593102SJ351FET de MOS De P-Canal De SiliciumHitachi Semiconductor
593112SJ351FET de MOS De P-Canal De SiliciumHitachi Semiconductor
593122SJ351Transistors&gt;Amplifiers/MOSFETsRenesas
593132SJ352FET de MOS De P-Canal De SiliciumHitachi Semiconductor
593142SJ352FET de MOS De P-Canal De SiliciumHitachi Semiconductor
593152SJ352Transistors&gt;Amplifiers/MOSFETsRenesas
593162SJ353FET de MOS De P-canal POUR LA COMMUTATION Élevée De VitesseNEC
593172SJ353-Ttransistor à effet de champ de silicium de MOS-type de P-canal (-60NEC
593182SJ355FET de MOS De P-canal POUR LA COMMUTATION ÉLEVÉENEC
593192SJ355-T1FET de MOS De P-canal (-30V, +-À)NEC
593202SJ355-T2FET de MOS De P-canal (-30V, +-À)NEC
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