| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 611481 | KM68257CLTG-20 | 32Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 20ns | Samsung Electronic |
| 611482 | KM68257CP-12 | 32Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 12ns | Samsung Electronic |
| 611483 | KM68257CP-15 | 32Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 15ns | Samsung Electronic |
| 611484 | KM68257CP-20 | 32Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 20ns | Samsung Electronic |
| 611485 | KM68257CTG-12 | 32Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 12ns | Samsung Electronic |
| 611486 | KM68257CTG-15 | 32Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 15ns | Samsung Electronic |
| 611487 | KM68257CTG-20 | 32Kx8 peu haute vitesse RAM statique (5V d'exploitation), 20ns | Samsung Electronic |
| 611488 | KM68257E | 32Kx8 opération statique à grande vitesse du peu CMOSRAM(5V) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 611489 | KM68257E-10 | 32Kx8 opération statique à grande vitesse du peu CMOSRAM(5V) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 611490 | KM68257E-12 | 32Kx8 opération statique à grande vitesse du peu CMOSRAM(5V) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 611491 | KM68257E-15 | 32Kx8 opération statique à grande vitesse du peu CMOSRAM(5V) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 611492 | KM68257EI-10 | 32Kx8 Bit CMOS ultra-rapide RAM statique (5V) Exploitée dans des gammes de températures commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 611493 | KM68257EI-12 | 32Kx8 opération statique à grande vitesse du peu CMOSRAM(5V) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 611494 | KM68257EI-15 | 32Kx8 opération statique à grande vitesse du peu CMOSRAM(5V) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 611495 | KM68257EJ-10 | 32Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 10ns | Samsung Electronic |
| 611496 | KM68257EJ-12 | 32Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 12ns | Samsung Electronic |
| 611497 | KM68257EJ-15 | 32Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 15ns | Samsung Electronic |
| 611498 | KM68257EJI-10 | 32Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 10ns | Samsung Electronic |
| 611499 | KM68257EJI-12 | 32Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 12ns | Samsung Electronic |
| 611500 | KM68257EJI-15 | 32Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 15ns | Samsung Electronic |
| 611501 | KM68257ETG-10 | 32Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 10ns | Samsung Electronic |
| 611502 | KM68257ETG-12 | 32Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 12ns | Samsung Electronic |
| 611503 | KM68257ETG-15 | 32Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 15ns | Samsung Electronic |
| 611504 | KM68257ETGI-10 | 32Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 10ns | Samsung Electronic |
| 611505 | KM68257ETGI-12 | 32Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 12ns | Samsung Electronic |
| 611506 | KM68257ETGI-15 | 32Kx8 peu haute vitesse CMOS RAM statique (5V), 15ns | Samsung Electronic |
| 611507 | KM684000 | 524288 WORD X RAM À GRANDE VITESSE de CHARGE STATIQUE de 8 BITS CMOS | Samsung Electronic |
| 611508 | KM684000ALG-5 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 128Kx8 | Samsung Electronic |
| 611509 | KM684000ALG-5L | 55ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statique | Samsung Electronic |
| 611510 | KM684000ALG-7 | 70ns, 512Kx8 bits faibles CMOS de puissance RAM statique | Samsung Electronic |
| 611511 | KM684000ALG-7L | 70ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statique | Samsung Electronic |
| 611512 | KM684000ALGI-7 | 70ns, 512Kx8 bits faibles CMOS de puissance RAM statique | Samsung Electronic |
| 611513 | KM684000ALGI-7L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 128Kx8 | Samsung Electronic |
| 611514 | KM684000ALP-5 | 55ns, 512Kx8 bits faibles CMOS de puissance RAM statique | Samsung Electronic |
| 611515 | KM684000ALP-5L | 55ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statique | Samsung Electronic |
| 611516 | KM684000ALP-7 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 128Kx8 | Samsung Electronic |
| 611517 | KM684000ALP-7L | 70ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statique | Samsung Electronic |
| 611518 | KM684000ALR-5L | 55ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statique | Samsung Electronic |
| 611519 | KM684000ALR-7L | 70ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statique | Samsung Electronic |
| 611520 | KM684000ALRI-7L | 70ns, 512Kx8 bits faibles CMOS à faible puissance de la RAM statique | Samsung Electronic |
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