| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 613961 | KSB708 | V -80, -7 A, le transistor PNP épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 613962 | KSB708OTU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613963 | KSB708RTU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613964 | KSB708YTU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613965 | KSB744 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613966 | KSB744 | -70 V, -3 A, le transistor PNP épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 613967 | KSB744A | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613968 | KSB744A | -70 V, -3 A, le transistor PNP épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 613969 | KSB744AYSTU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613970 | KSB744OSTU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613971 | KSB744YSTU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613972 | KSB772 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613973 | KSB772 | PNP (COMMUTATION À VITESSE RÉDUITE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE) | Samsung Electronic |
| 613974 | KSB772OS | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613975 | KSB772YS | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613976 | KSB772YSTSSTU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613977 | KSB772YSTSTU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613978 | KSB772YSTU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613979 | KSB794 | Transistor Épitaxial De Darlington De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613980 | KSB794 | -60 V, +/- 1,5 A, épitaxiée de silicium transistor PNP Darlington | Samsung Electronic |
| 613981 | KSB794OSTU | Transistor Épitaxial De Darlington De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613982 | KSB795 | Transistor Épitaxial De Darlington De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613983 | KSB795 | -80 V, +/- 1,5 A, épitaxiée de silicium transistor PNP Darlington | Samsung Electronic |
| 613984 | KSB795OSTU | Transistor Épitaxial De Darlington De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613985 | KSB798 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613986 | KSB798GTF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613987 | KSB798YTF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613988 | KSB810 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613989 | KSB810YTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613990 | KSB811 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613991 | KSB811 | PNP (AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DE FRÉQUENCE SONORE) | Samsung Electronic |
| 613992 | KSB811GBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613993 | KSB811GTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613994 | KSB811OBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613995 | KSB811OTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613996 | KSB811YBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613997 | KSB811YTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613998 | KSB834 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 613999 | KSB834 | PNP (AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE) | Samsung Electronic |
| 614000 | KSB834O | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
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