| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 62081 | 2SK3056-S | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 62082 | 2SK3056-ZJ | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 62083 | 2SK3057 | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 62084 | 2SK3058 | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 62085 | 2SK3058-S | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 62086 | 2SK3058-Z | Commutation élevée de vitesse du FET Mp-45f de MOS de puissance de Nch | NEC |
| 62087 | 2SK3058-ZJ | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 62088 | 2SK3059 | UTILISATION INDUSTRIELLE DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE DE LACOMMUTATION N-CHANNEL | NEC |
| 62089 | 2SK3059 | UTILISATION INDUSTRIELLE DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE DE LACOMMUTATION N-CHANNEL | NEC |
| 62090 | 2SK3060 | FET de MOS de Nch pour la grande commutation courante | NEC |
| 62091 | 2SK3061 | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 62092 | 2SK3062 | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 62093 | 2SK3062-S | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 62094 | 2SK3062-Z | FET de MOS de Nch pour la grande commutation courante | NEC |
| 62095 | 2SK3062-ZJ | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 62096 | 2SK3064 | Dispositif small-signal - FETS small-signal - FETS de MOS | Panasonic |
| 62097 | 2SK3064G | Silicon canal N-MOSFET | Panasonic |
| 62098 | 2SK3065 | > de transistors; > DE FET DE MOS; Petit FET de MOS De Signal | ROHM |
| 62099 | 2SK3067 | Le régulateur de découpeur du type de MOS de la Manche du silicium N de transistor à effet de champ (pi-MOSV), le convertisseur de DC de C.c et le moteur conduisent des applications | TOSHIBA |
| 62100 | 2SK3068 | Le régulateur de découpeur du type de MOS de la Manche du silicium N de transistor à effet de champ (pi-MOSV), le convertisseur de DC de C.c et le moteur conduisent des applications | TOSHIBA |
| 62101 | 2SK3069 | Commutation À grande vitesse De Puissance de FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 62102 | 2SK3069 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 62103 | 2SK3070 | Commutation À grande vitesse De Puissance de FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 62104 | 2SK3070(L) | commutation de puissance MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 62105 | 2SK3070(S) | commutation de puissance MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 62106 | 2SK3070L | Commutation À grande vitesse De Puissance de FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 62107 | 2SK3070L | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 62108 | 2SK3070S | Commutation À grande vitesse De Puissance de FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 62109 | 2SK3070S | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 62110 | 2SK3072 | Applications De Commutation D'Ultra-haut-Vitesse de Transistor MOSFET De Silicium De N-Canal | SANYO |
| 62111 | 2SK3074 | Transistor MOSFET de PUISSANCE du TYPE Rf de MOS de la MANCHE du SILICIUM N de TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP POUR L'CAmplificateur de PUISSANCE De Fréquence ultra-haute-bande d'cAnd de VHF | TOSHIBA |
| 62112 | 2SK3075 | Transistor MOSFET De PUISSANCE Du TYPE Rf De MOS De la MANCHE Du SILICIUM N De TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP POUR L'cAmplificateur De PUISSANCE À FRÉQUENCE ULTRA-haute De BAND D'cAnd De VHF | TOSHIBA |
| 62113 | 2SK3076 | Commutation À grande vitesse De Puissance de FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 62114 | 2SK3076(L) | commutation de puissance MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 62115 | 2SK3076(S) | commutation de puissance MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 62116 | 2SK3076L | Commutation À grande vitesse De Puissance de FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 62117 | 2SK3076S | Commutation À grande vitesse De Puissance de FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 62118 | 2SK3077 | TYPE de MOS de la MANCHE du SILICIUM N de TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP APPLICATIONS d'cAmplificateur de BANDE De 900 Mégahertz (GM/M) | TOSHIBA |
| 62119 | 2SK3077A | Applications D'Amplificateur De Bande Du Type VHF/uhf de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
| 62120 | 2SK3078 | TYPE de MOS de la MANCHE du SILICIUM N de TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP APPLICATIONS d'cAmplificateur de BANDE De 900 Mégahertz (GM/M) | TOSHIBA |
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