| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 65641 | 30KW120A | 120.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65642 | 30KW132 | 132.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65643 | 30KW132A | 132.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65644 | 30KW144 | 144.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65645 | 30KW144A | 144.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65646 | 30KW156 | 156.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65647 | 30KW156A | 156.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65648 | 30KW168 | 168.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65649 | 30KW168A | 168.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65650 | 30KW180 | 180.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65651 | 30KW180A | 180.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65652 | 30KW198 | 198.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65653 | 30KW198A | 198.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65654 | 30KW216 | 216.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65655 | 30KW216A | 216.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65656 | 30KW240 | 240.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65657 | 30KW240A | 240.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65658 | 30KW258 | 258.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65659 | 30KW258A | 258.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65660 | 30KW270 | 270.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65661 | 30KW270A | 270.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65662 | 30KW288 | 288.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65663 | 30KW288A | 288.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 65664 | 30L30CT | diode commune de cathode de 30V 30A Schottky dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 65665 | 30L30CT-1 | diode commune de cathode de 30V 30A Schottky dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 65666 | 30L30CTC | REDRESSEUR DE SCHOTTKY | International Rectifier |
| 65667 | 30L30CTS | diode commune de cathode de 30V 30A Schottky dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 65668 | 30L30CTSTRL | diode commune de cathode de 30V 30A Schottky dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 65669 | 30L30CTSTRR | diode commune de cathode de 30V 30A Schottky dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 65670 | 30L6P45 | TYPE DIFFUS PAR SILICIUM DE MODULE DE REDRESSEUR (TROIS PLEINES APPLICATIONS DE PONT DE VAGUE DE PHASE) | TOSHIBA |
| 65671 | 30LJQ045 | diode discrète de 30V 4Ä Bonjour-Rel Schottky dans un paquet Smd-0.5 | International Rectifier |
| 65672 | 30LJQ100 | diode discrète de 30V 100A Bonjour-Rel Schottky dans un paquet Smd-0.5 | International Rectifier |
| 65673 | 30LJQ150 | diode discrète de 30V 150A Bonjour-Rel Schottky dans un paquet Smd-0.5 | International Rectifier |
| 65674 | 30LQJ100 | REDRESSEUR DE SCHOTTKY | International Rectifier |
| 65675 | 30LT30CT | Redresseur De Schottky | Microsemi |
| 65676 | 30LV | Condensateurs Évalués De Disque De Ligne À C.a. | Vishay |
| 65677 | 30LVD10 | Condensateurs Évalués De Disque De Ligne À C.a. | Vishay |
| 65678 | 30LVD15 | Condensateurs Évalués De Disque De Ligne À C.a. | Vishay |
| 65679 | 30LVD20 | Condensateurs Évalués De Disque De Ligne À C.a. | Vishay |
| 65680 | 30LVD22 | Condensateurs Évalués De Disque De Ligne À C.a. | Vishay |
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