| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 881841 | MJE182 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881842 | MJE182 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 881843 | MJE182 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 881844 | MJE182 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 881845 | MJE182 | PUISSANCE TRANSISTORS(3.0a, 40-80v, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881846 | MJE182 | SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DE 3 D'CAmpère TRANSISTORS DE PUISSANCE 60-80 VOLTS 12,5 WATTS | Motorola |
| 881847 | MJE182 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 881848 | MJE182 | Puissance Á 80V NPN | ON Semiconductor |
| 881849 | MJE182 | 12.500W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881850 | MJE182 | 60 V, 3 A, le transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 881851 | MJE18204 | TRANSISTORS de PUISSANCE 5 AMPÈRES 1200 VOLTS 35 et 75WATTS | Motorola |
| 881852 | MJE18204 | SWITCHMODE ™ NPN bipolaire transistor de puissance électronique de lumière ballast et des applications de commutation Alimentation | ON Semiconductor |
| 881853 | MJE18204-D | Transistor de puissance bipolaire de SWITCHMODE NPN pour les TRANSISTORS de PUISSANCE légers électroniques d'applications d'alimentation d'énergie de ballast et de commutation 5 AMPÈRES 1200 VOLTS 35 et 75 WATTS | ON Semiconductor |
| 881854 | MJE18206 | TRANSISTORS de PUISSANCE 8 AMPÈRES 1200 VOLTS 40 et 100 WATTS | Motorola |
| 881855 | MJE18206 | SWITCHMODE ™ NPN bipolaire transistor de puissance électronique de lumière ballast et des applications de commutation Alimentation | ON Semiconductor |
| 881856 | MJE182STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881857 | MJE18604 | TRANSISTORS DE PUISSANCE 3 AMPÈRES 1600 VOLTS 100 WATTS | Motorola |
| 881858 | MJE18604D2 | TRANSISTORS DE PUISSANCE 3 AMPÈRES 1600 VOLTS 100 WATTS | Motorola |
| 881859 | MJE200 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881860 | MJE200 | SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DE 5 D'CAmpère TRANSISTORS DE PUISSANCE 25 VOLTS 15 WATTS | Motorola |
| 881861 | MJE200 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 881862 | MJE200 | Puissance Ä 25V NPN | ON Semiconductor |
| 881863 | MJE200 | 40 V, 5 A, le transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 881864 | MJE200-D | Transistors Complémentaires De Plastique De Puissance De Silicium | ON Semiconductor |
| 881865 | MJE200STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881866 | MJE200TSTU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881867 | MJE210 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881868 | MJE210 | TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | ST Microelectronics |
| 881869 | MJE210 | SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DE 5 D'CAmpère TRANSISTORS DE PUISSANCE 25 VOLTS 15 WATTS | Motorola |
| 881870 | MJE210 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 881871 | MJE210 | Puissance Ä 25V PNP | ON Semiconductor |
| 881872 | MJE210 | -40 V, -5 A, le transistor PNP épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 881873 | MJE210 | SILICON transistor PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 881874 | MJE210STU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881875 | MJE210T | Puissance Ä 25V PNP | ON Semiconductor |
| 881876 | MJE220 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Central Semiconductor |
| 881877 | MJE220 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Central Semiconductor |
| 881878 | MJE221 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Central Semiconductor |
| 881879 | MJE221 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Central Semiconductor |
| 881880 | MJE222 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Central Semiconductor |
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