| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 902241 | MRF545 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 902242 | MRF553 | BAS SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Motorola |
| 902243 | MRF553 | RF transistor NPN | Microsemi |
| 902244 | MRF555 | BAS SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Motorola |
| 902245 | MRF555 | RF transistor NPN | Microsemi |
| 902246 | MRF555T | RF transistor NPN | Microsemi |
| 902247 | MRF557 | BAS SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Motorola |
| 902248 | MRF5583 | SILICIUM du TRANSISTOR À haute fréquence PNP de BÂTI EXTÉRIEUR | Motorola |
| 902249 | MRF559 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 902250 | MRF571 | Transistors À haute fréquence De Silicium de NPN | Motorola |
| 902251 | MRF5711LT1 | Transistors À haute fréquence De Silicium de NPN | Motorola |
| 902252 | MRF572 | TRANSISTOR DU SILICIUM NPN RF | Advanced Semiconductor |
| 902253 | MRF581 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 902254 | MRF5811LT1 | SILICIUM du TRANSISTOR À haute fréquence NPN De BAS BRUIT | Motorola |
| 902255 | MRF5812 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 902256 | MRF5812R1 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 902257 | MRF5812R2 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 902258 | MRF581A | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 902259 | MRF586 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 902260 | MRF587 | SILICIUM du TRANSISTOR À haute fréquence NPN | Tyco Electronics |
| 902261 | MRF587 | SILICIUM du TRANSISTOR À haute fréquence NPN | Motorola |
| 902262 | MRF587 | Haute fréquence transistor NPN silicium | MA-Com |
| 902263 | MRF5943 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 902264 | MRF5943R1 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 902265 | MRF5943R2 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 902266 | MRF5P20180 | MRF5P20180R6 1990 mégahertz, 38 W Avg., 2 x W-cdma, transistor MOSFET latéral de puissance du N-Canal rf de 28 V | Motorola |
| 902267 | MRF5P20180R6 | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE DE RF | Motorola |
| 902268 | MRF5P21180 | MRF5P21180 2170 mégahertz, 38 W Avg., 2 x W-cdma, transistor MOSFET latéral de puissance du N-Canal rf de 28 V | Motorola |
| 902269 | MRF5P21180R6 | Transistor à effet de champ De Puissance de Rf | Motorola |
| 902270 | MRF5P21180R6 | 2170 mégahertz, 38 W AVG., 2 x W–cdma, 28 transistor MOSFET latéral de puissance de V N–Channel rf | Freescale (Motorola) |
| 902271 | MRF5P21240 | MRF5P21240R6 2170 mégahertz, 52 W Avg., 2 x W-cdma, transistor MOSFET latéral de puissance du N-Canal rf de 28 V | Motorola |
| 902272 | MRF5P21240R6 | 2170 mégahertz, 52 W Avg., 2 x W–cdma, 28 transistor MOSFET latéral de puissance de V N–Channel rf | Freescale (Motorola) |
| 902273 | MRF5S19090L | MRF5S19090L, MRF5S19090LR3, MRF5S19090LSR3 1990 mégahertz, 18 W Avg., 2 x N-cdma, 28 transistors MOSFET latéraux de puissance du N-Canal rf de V | Motorola |
| 902274 | MRF5S19090LR3 | 1990 mégahertz, 18 W Avg., 2 x N–cdma, 28 transistor MOSFET latéral de puissance de V N–Channel rf | Freescale (Motorola) |
| 902275 | MRF5S19090LSR3 | 1990 mégahertz, 18 W Avg., 2 x N–cdma, 28 transistor MOSFET latéral de puissance de V N–Channel rf | Freescale (Motorola) |
| 902276 | MRF5S19100HD | Les Transistors MOSFET De Partie latérale De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistors à effet de champ De Puissance De la Ligne Rf de Transistor MOSFET de Rf | Motorola |
| 902277 | MRF5S19100HR3 | Les Transistors MOSFET De Partie latérale De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistors à effet de champ De Puissance De la Ligne Rf de Transistor MOSFET de Rf | Motorola |
| 902278 | MRF5S19100HR3 | 1990 mégahertz, 22 W Avg., 28 V, 2 transistor MOSFET latéral de puissance de x N–cdma N–Channel rf | Freescale (Motorola) |
| 902279 | MRF5S19100HSR3 | Les Transistors MOSFET De Partie latérale De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistors à effet de champ De Puissance De la Ligne Rf de Transistor MOSFET de Rf | Motorola |
| 902280 | MRF5S19100HSR3 | 1990 mégahertz, 22 W Avg., 28 V, 2 transistor MOSFET latéral de puissance de x N–cdma N–Channel rf | Freescale (Motorola) |
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