Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
927961 | NE1619DS | HECETA4 Température et moniteur de tension | NXP Semiconductors |
927962 | NE2001-VA20 | Près du printhead thermique de bord (8 points/millimètre) | ROHM |
927963 | NE2001-VA20A | > Thermique De Printheads; > En plastique De Carte De Fro; NE200 * -, série 300*-va@ | ROHM |
927964 | NE2002-VA10A | > Thermique De Printheads; > En plastique De Carte De Fro; NE200 * -, série 300*-va@ | ROHM |
927965 | NE2004-VA10A | > Thermique De Printheads; > En plastique De Carte De Fro; NE200 * -, série 300*-va@ | ROHM |
927966 | NE202 | FET ULTRA BAS De JONCTION De la BANDE HETERO Du BRUIT K | NEC |
927967 | NE20200 | 12 GHz, ultra faible bruit en bande K hétéro FET | NEC |
927968 | NE20200-1.4 | 12 GHz, ultra faible bruit en bande K hétéro FET | NEC |
927969 | NE20248 | FET ULTRA BAS De JONCTION De la BANDE HETERO Du BRUIT K | NEC |
927970 | NE20283A | FET ULTRA BAS De JONCTION De la BANDE HETERO Du BRUIT K | NEC |
927971 | NE20283A-1.4 | 12 GHz, ultra faible bruit en bande K hétéro FET | NEC |
927972 | NE202XX | FET ULTRA BAS De JONCTION De la BANDE HETERO Du BRUIT K | NEC |
927973 | NE202XX-1.4 | FET ULTRA BAS De JONCTION De la BANDE HETERO Du BRUIT K | NEC |
927974 | NE20300 | 12 GHz, bruit ultra faible en bande Ku hétéro FET | NEC |
927975 | NE20383A | 12 GHz, bruit ultra faible en bande Ku hétéro FET | NEC |
927976 | NE21800 | BASSE BANDE GaAs MESFET Du BRUIT X | NEC |
927977 | NE21800 | BASSE BANDE GaAs MESFET Du BRUIT X | NEC |
927978 | NE21889 | BASSE BANDE GaAs MESFET Du BRUIT X | NEC |
927979 | NE21889 | BASSE BANDE GaAs MESFET Du BRUIT X | NEC |
927980 | NE219 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
927981 | NE21900 | 8 GHz, 20 V, NPN silicium transistor à haute fréquence | NEC |
927982 | NE21903 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
927983 | NE21908 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
927984 | NE21912 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
927985 | NE21935 | TRANSISTOR DU SILICIUM HI FREQUNCY DE NPN | Advanced Semiconductor |
927986 | NE21935 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
927987 | NE21937 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
927988 | NE21987 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
927989 | NE22100 | TRANSISTOR MOYEN De Fréquence ultra-haute-VHF de PUISSANCE de NPN | NEC |
927990 | NE22100 | TRANSISTOR MOYEN De Fréquence ultra-haute-VHF de PUISSANCE de NPN | NEC |
927991 | NE22120 | TRANSISTOR MOYEN De Fréquence ultra-haute-VHF de PUISSANCE de NPN | NEC |
927992 | NE22120 | TRANSISTOR MOYEN De Fréquence ultra-haute-VHF de PUISSANCE de NPN | NEC |
927993 | NE23300 | Super faible bruit HJ FET (espace qualifié). | NEC |
927994 | NE23383B | Super amplificateur à faible bruit. N-canal HJ FET (espace qualifié). | NEC |
927995 | NE24200 | C MORCEAU SUPERBE de Hj-FET de N-canal d'cAmplificateur de BRUIT de BANDE de ka au BAS | NEC |
927996 | NE24283 | Ultra faible bruit pseudomorphiques HJ FET (espace qualifié). | NEC |
927997 | NE25000 | 60 GHz, haute performance double grille MESFET GaAs | NEC |
927998 | NE25118 | GaAs À double portail TOUT USAGE MESFET | NEC |
927999 | NE25118-T1 | GaAs À double portail TOUT USAGE MESFET | NEC |
928000 | NE25137 | PORTE DUELLE TOUT USAGE GACAs MESFET | NEC |
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