| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 928641 | NE6500379 | PUISSANCE GaAs MESFET De 3W L/S-bande | NEC |
| 928642 | NE6500379A | 3W L, PUISSANCE GaAs MESFET De S-bande | NEC |
| 928643 | NE6500379A-T1 | 3W L, PUISSANCE GaAs MESFET De S-bande | NEC |
| 928644 | NE6500496 | 4 W L, FET Du N-canal GaAs MES de FET de la PUISSANCE GaAs De S-bande | NEC |
| 928645 | NE650103M | NECS 10 W L | California Eastern Laboratories |
| 928646 | NE650103M | NECS 10 W L | California Eastern Laboratories |
| 928647 | NE650103M | 10 W, L et S-bande GaAs de puissance MESFET. | NEC |
| 928648 | NE6501077 | 10 W L, FET Du N-canal GaAs MES de FET de la PUISSANCE GaAs De S-bande | NEC |
| 928649 | NE650R279A | 0,2 W L, FET de la PUISSANCE GaAs MES De S-bande | NEC |
| 928650 | NE650R279A-T1 | 0,2 W L, FET de la PUISSANCE GaAs MES De S-bande | NEC |
| 928651 | NE650R479A | 0,4 W L, FET de la PUISSANCE GaAs MES De S-bande | NEC |
| 928652 | NE650R479A-T1 | 0,4 W L, FET de la PUISSANCE GaAs MES De S-bande | NEC |
| 928653 | NE6510179 | 1 Hj-FET de la PUISSANCE GaAs De L-bande De W | NEC |
| 928654 | NE6510179A | 1 Hj-FET de la PUISSANCE GaAs De L-bande De W | NEC |
| 928655 | NE6510179A-T1 | 1 Hj-FET de la PUISSANCE GaAs De L-bande De W | NEC |
| 928656 | NE6510379A | Hj-FET de la PUISSANCE GaAs De L-bande De 3 W | NEC |
| 928657 | NE6510379A-T1 | Hj-FET de la PUISSANCE GaAs De L-bande De 3 W | NEC |
| 928658 | NE651R479A | 0,4 Hj-FET de la PUISSANCE GaAs De L-bande De W | NEC |
| 928659 | NE651R479A-T1 | 0,4 Hj-FET de la PUISSANCE GaAs De L-bande De W | NEC |
| 928660 | NE661M04 | Le TRANSISTOR du SILICIUM Rf de NPN POUR BAS LE BRUIT COURANT Et BAS, AMPLIFICATION À gain élevé Plat-mènent Des 4-goupilles LÉGÈREMENT SUPERBES Mini-moulent | NEC |
| 928661 | NE661M04-T2 | Le TRANSISTOR du SILICIUM Rf de NPN POUR BAS LE BRUIT COURANT Et BAS, AMPLIFICATION À gain élevé Plat-mènent Des 4-goupilles LÉGÈREMENT SUPERBES Mini-moulent | NEC |
| 928662 | NE662M04 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 928663 | NE662M04 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 928664 | NE662M04-T2 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 928665 | NE662M04-T2 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 928666 | NE662M16 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 928667 | NE662M16-T3 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
| 928668 | NE663M04-T2 | Silicium NPN de transistor à haute fréquence. | NEC |
| 928669 | NE664M04 | TRANSISTOR MOYEN DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE LA PUISSANCE NPN | NEC |
| 928670 | NE664M04 | TRANSISTOR MOYEN DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE LA PUISSANCE NPN | NEC |
| 928671 | NE664M04-T2 | TRANSISTOR MOYEN DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE LA PUISSANCE NPN | NEC |
| 928672 | NE664M04-T2 | TRANSISTOR MOYEN DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE LA PUISSANCE NPN | NEC |
| 928673 | NE66719-T1 | Silicium NPN de transistor à haute fréquence. | NEC |
| 928674 | NE67400 | L à bande Ku amplificateur à faible bruit à canal n MESFET GaAs. Idss 20 à 120 mA. | NEC |
| 928675 | NE67483B | L à bande Ku amplificateur à faible bruit à canal n MESFET GaAs. Idss 20 à 120 mA. | NEC |
| 928676 | NE677M04 | TRANSISTOR MOYEN de HAUTE FRÉQUENCE de SILICIUM de la PUISSANCE NPNDe NECs | California Eastern Laboratories |
| 928677 | NE677M04 | TRANSISTOR MOYEN de HAUTE FRÉQUENCE de SILICIUM de la PUISSANCE NPNDe NECs | California Eastern Laboratories |
| 928678 | NE677M04-T2 | TRANSISTOR MOYEN de HAUTE FRÉQUENCE de SILICIUM de la PUISSANCE NPNDe NECs | California Eastern Laboratories |
| 928679 | NE677M04-T2 | TRANSISTOR MOYEN de HAUTE FRÉQUENCE de SILICIUM de la PUISSANCE NPNDe NECs | California Eastern Laboratories |
| 928680 | NE677M04-T2 | Moyenne puissance NPN silicium de transistor à haute fréquence. | NEC |
| | | |
