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| 2N23867 construit près: | 
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 | 1.000W Puissance PNP métal peut transistor. 40V VCEO, 3.000A Ic, 40-200 hFE. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N3867, |
Téléchargement 2N23867 datasheet de Continental Device India Limited |
pdf 65 kb |
| 2N2380A | Vue 2N23867 à notre catalogue | 2N2405 |