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2N5308A construit près: |
Planaire épitaxiale de silicium passivé transistor NPN Darlington. 40V, 300mA. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: GES5307, GES5308, 2N5308, 2N5307, GES5308A, |
Téléchargement 2N5308A datasheet de General Electric Solid State |
pdf 136 kb |
2N5308 | Vue 2N5308A à notre catalogue | 2N5308_D26Z |