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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
MC961 construit près: |
Diode. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 75 V. | Téléchargement MC961 datasheet de Isahaya Electronics Corporation |
pdf 83 kb |
MC937 | Vue MC961 à notre catalogue | MC971 |