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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
MC982 construit près: |
Diode. Pour une application de commutation à grande vitesse. Type de silicium épitaxiale. Tension inverse de crête de 35 V. | Téléchargement MC982 datasheet de Isahaya Electronics Corporation |
pdf 82 kb |
MC981 | Vue MC982 à notre catalogue | MC9S08GB32 |