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MJE18002D2-D construit près: |
Transistor de puissance bipolaire du gain à grande vitesse et élevé NPN avec la diode intégrée de collecteur-émetteur et TRANSISTORS de PUISSANCE efficaces intégrés de réseau d'Antisaturation 2 AMPÈRES 1000 VOLTS 50 WATTS | Téléchargement MJE18002D2-D datasheet de ON Semiconductor |
PDF 60 kb |
MJE18002D2 | Vue MJE18002D2-D à notre catalogue | MJE18004 |