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NTE5999 construit près: |
puissance de diode redresseur au silicium. Anode de cas. Max crête répétitif tension inverse 800V. Moyenne 40A courant direct. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: NTE6002, NTE5998, NTE6003, NTE6004, NTE5983, |
Téléchargement NTE5999 datasheet de NTE Electronics |
pdf 31 kb |
NTE5998 | Vue NTE5999 à notre catalogue | NTE60 |