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TC528128BZ-80 construit près: |
80 ns; V (cc): -1 à + 7V; V (in / out); -1,0 À + 7,0 V; 1W; 50mA; Silicon CMOS gâté 131 072 mots x 8 bits multiport DRAME D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: TC528128BJ-10, TC528128BJ-80, TC528128BZ-10, |
Téléchargement TC528128BZ-80 datasheet de TOSHIBA |
pdf 2657 kb |
TC528128BZ-10 | Vue TC528128BZ-80 à notre catalogue | TC528267 |