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| TSD4M150F construit près: | 
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 | V (ds): 100V; V (DGR): 100V; V (GS): + -20V; 500W; I (d): 135A; N-canal puissance mode d'amélioration du ISOFET MOS de module de transistor. Pour DC-DC et DC-AC, convertisseurs SMPS et UPS, contrôle moteur, le stockage de sortie PWM, cir D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: TSD4M150V, |
Téléchargement TSD4M150F datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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 | MODULE DE TRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DU MODE ISOFET DEPERFECTIONNEMENT DE N-CHANNEL D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: TSD4M150, |
Téléchargement TSD4M150F datasheet de ST Microelectronics |
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| MODULE DE TRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DU MODE ISOFET DEPERFECTIONNEMENT DE N-CHANNEL | Téléchargement TSD4M150F datasheet de ST Microelectronics |
pdf 358 kb |
| TSD4M150 | Vue TSD4M150F à notre catalogue | TSD4M150V |