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VN0109ND construit près: |
90 V, 3 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: VN0104N3, VN0104ND, VN0106N3, VN0106ND, VN0109N3, |
Téléchargement VN0109ND datasheet de Topaz Semiconductor |
pdf 73 kb |
VN0109N3 | Vue VN0109ND à notre catalogue | VN0109NE |