|
| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
|
Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
VP1008M construit près: |
-100 V, 5 ohms, à canal P à mode d'enrichissement D-MOS FET de puissance D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: VP0808CHP, VP0808L, VP0808M, VP1008L, VP1008CHP, |
Téléchargement VP1008M datasheet de Topaz Semiconductor |
pdf 106 kb |
VP1008L | Vue VP1008M à notre catalogue | VP101 |