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2SK1297 Vorbei Hergestellt: |
V (DSS): 60V; I (d): 40A; 100W; Silizium N-Kanal-MOS-FET. Für Hochgeschwindigkeitsleistungsschalt | Download 2SK1297 datasheet von Hitachi Semiconductor |
pdf 58 kb |
2SK1296 | Ansicht 2SK1297 zu unserem Katalog | 2SK1298 |