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BF1009S Vorbei Hergestellt: |
RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB voll, beeinflussend; Datasheet Bedarfs- Andere mit der gleichen Akte für datasheet: BF1009SR, |
Download BF1009S datasheet von Infineon |
pdf 255 kb |
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Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 9V integriertem schrägem Netz) Andere mit der gleichen Akte für datasheet: Q62702-F1628, |
Download BF1009S datasheet von Siemens |
pdf 56 kb |
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Silikon N-Führung MOSFET Tetrode für... | Download BF1009S datasheet von Infineon |
pdf 92 kb |
BF1009 | Ansicht BF1009S zu unserem Katalog | BF1009SR |