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BF1009S Fabricado cerca: |
Rf-rf-mosfet - integrado por completo predisponiendo la red, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet a pedido Otros con el mismo archivo para el datasheet: BF1009SR, |
Transferencia Directa BF1009S datasheet de Infineon |
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Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal integrada 9V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) Otros con el mismo archivo para el datasheet: Q62702-F1628, |
Transferencia Directa BF1009S datasheet de Siemens |
pdf 56 kb |
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Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio para... | Transferencia Directa BF1009S datasheet de Infineon |
pdf 92 kb |
BF1009 | Vista BF1009S a nuestro catálogo | BF1009SR |