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IRF233 Vorbei Hergestellt: |
N-Führung Energie MOSFETs/ 12A/ 150-200 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF633, IRF632, IRF631, IRF230, IRF230-233, |
Download IRF233 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 8.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF232, IRF231, |
Download IRF233 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 165 kb |
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8.0A und 9.0A/ 150V und 200V/ 0.4 und 0.6 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Download IRF233 datasheet von Intersil |
pdf 74 kb |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF233 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 217 kb |
IRF232 | Ansicht IRF233 zu unserem Katalog | IRF234 |