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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF632 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Führung Energie MOSFETs/ 12A/ 150-200 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF633, IRF631, IRF230, IRF230-233, IRF231, |
Download IRF632 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 8.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF630, |
Download IRF632 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
| IRF631 | Ansicht IRF632 zu unserem Katalog | IRF633 |