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IRF252 Vorbei Hergestellt: |
N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF250, IRF251, IRF253, |
Download IRF252 datasheet von Samsung Electronic |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 25A. | Download IRF252 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 200 kb |
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25A und 30A, 150V und 200V, 0.085 und 0.120 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Download IRF252 datasheet von Intersil |
pdf 63 kb |
IRF251 | Ansicht IRF252 zu unserem Katalog | IRF253 |