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MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF250, IRF251, IRF253, |
Transferencia Directa IRF252 datasheet de Samsung Electronic |
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N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 25A. | Transferencia Directa IRF252 datasheet de General Electric Solid State |
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25A y 30A, 150V y 200V, 0,085 y 0,120 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia | Transferencia Directa IRF252 datasheet de Intersil |
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IRF251 | Vista IRF252 a nuestro catálogo | IRF253 |