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IRF823 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-MOSFET, 450V, 2.2A Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF821, IRF821FI, IRF823FI, |
Download IRF823 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 346 kb |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF820, IRF822, |
Download IRF823 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF420, IRF423, IRF422, IRF421, IRF420-423, |
Download IRF823 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
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N-CHANNEL Verbesserung-Modus Silikon-Gatter TMOS | Download IRF823 datasheet von Motorola |
pdf 146 kb |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF823 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 327 kb |
IRF822FI | Ansicht IRF823 zu unserem Katalog | IRF823FI |