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IRF423 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF420, IRF421, IRF422, |
Download IRF423 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF423 datasheet von Samsung Electronic |
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2.2A und 2.5A/ 450V und 500V/ 3.0 und 4.0 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Download IRF423 datasheet von Intersil |
pdf 74 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF823, IRF822, IRF420-423, IRF821, |
Download IRF423 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
IRF422 | Ansicht IRF423 zu unserem Katalog | IRF430 |