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STE250N06 Vorbei Hergestellt: |
Länge / Höhe 12,2 mm Breite 25,4 mm Tiefe 38 mm Verlustleistung 450 W Transistorpolung N-Kanal-Zentren zur Festsetzung 31,6 mm Aktuelle Id Forts. 250 A Strom Idm Impuls 750 A Spannung Isolierung 2,5 kV | Download STE250N06 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
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N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR Im ISOTOPPAKET | Download STE250N06 datasheet von ST Microelectronics |
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N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR Im ISOTOPPAKET | Download STE250N06 datasheet von ST Microelectronics |
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N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR Im ISOTOPPAKET | Download STE250N06 datasheet von ST Microelectronics |
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STE24NA100 | Ansicht STE250N06 zu unserem Katalog | STE250NS10 |