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Opinión todos los datasheets de SGS Thomson MicroelectronicsLongitud / Altura 12.2 mm Ancho 25.4 mm Profundidad 38 mm disipación de energía 450 W Polaridad del transistor de canal N Centros de fijación 31,6 mm Corriente cont Id. 250 A Idm actual pulso 750 A Tensión de aislamiento 2,5 kV Transferencia Directa STE250N06 datasheet de
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Opinión todos los datasheets de ST MicroelectronicsN - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL EN PAQUETE De ISOTOP Transferencia Directa STE250N06 datasheet de
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STE24NA100Vista STE250N06 a nuestro catálogoSTE250NS10



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