| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1163881 | STD13N60M2 | N-Kanal 600 V, 0,35 Ohm typ. 11 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1163882 | STD13NM60N | N-Kanal 600 V, 0,28 Ohm typ. 11 A MDmesh (TM) II Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1163883 | STD13NM60ND | N-Kanal 600 V, 0,32 Ohm typ. 11 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1163884 | STD150 ASIC | Characteristics(Jan. 22. 2002) | Samsung Electronic |
| 1163885 | STD150 ASIC | Ursprüngliches Flip/Flops | Samsung Electronic |
| 1163886 | STD150 ASIC | Ursprüngliche Logik-Zellen | Samsung Electronic |
| 1163887 | STD150 ASIC | Ursprünglicher Überblick | Samsung Electronic |
| 1163888 | STD150 ASIC | Introduction(Jan. 22. 2002) | Samsung Electronic |
| 1163889 | STD150 ASIC | STD150 Broschüre Umdr.. 1.0 | Samsung Electronic |
| 1163890 | STD150 ASIC | Ursprüngliche Verriegelungen | Samsung Electronic |
| 1163891 | STD150 ASIC | Ursprüngliche Gemische | Samsung Electronic |
| 1163892 | STD150 ASIC | I/O Zellen | Samsung Electronic |
| 1163893 | STD150 ASIC | Hohe Dichte-Gedächtnisse | Samsung Electronic |
| 1163894 | STD150 ASIC | Timmings | Samsung Electronic |
| 1163895 | STD150 ASIC | PLL2108X (Jan. 17, 2002) | Samsung Electronic |
| 1163896 | STD150 ASIC | Glossar der analogen Bezeichnungen | Samsung Electronic |
| 1163897 | STD150 ASIC | Paket-Fähigkeiten | Samsung Electronic |
| 1163898 | STD150 ASIC | I/O IP Zellen | Samsung Electronic |
| 1163899 | STD150 ASIC | Input/Output Zelle | Samsung Electronic |
| 1163900 | STD150 ASIC | Maximales Fanouts | Samsung Electronic |
| 1163901 | STD150N3LLH6 | N-Kanal-30 V, 0,0024 Ohm, 80 A, DPAK Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163902 | STD150NH02L | N-CHANNEL 24V - 0.0033 OHM - 150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET III MOSFET FÜR DC-DC UMWANDLUNG | ST Microelectronics |
| 1163903 | STD150NH02L | N-Kanal 24V - 0,0033 OHM - 150A CLIPPAK / IPAK STripFET III MOSFET FÜR DC-DC-Wandlung | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163904 | STD150NH02L-1 | N-CHANNEL 24V - 0.003 OHM - 150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET III MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163905 | STD150NH02LT4 | N-CHANNEL 24V - 0.003 OHM - 150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET III MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163906 | STD155N3H6 | N-Kanal-30 V, 2,5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163907 | STD155N3LH6 | N-Kanal-30 V, 0,0024 Ohm, 80 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1163908 | STD15N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1163909 | STD15N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163910 | STD15N06 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163911 | STD15N06L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1163912 | STD15N06L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163913 | STD15N06L | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163914 | STD15N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.308 Ohm, 11 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1163915 | STD15NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.060 OHM - 23A DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163916 | STD15NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.060 OHM - 23A DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163917 | STD15NF10 | N - FÜHRUNG 100V - 0.073Ohm - 15A TO-252 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163918 | STD15NF10T4 | N-CHANNEL 100V - 0.060 OHM - 23A DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1163919 | STD1664 | NPN Silikon-Transistor | AUK Corp |
| 1163920 | STD16N50M2 | N-Kanal 500 V, 0,24 Ohm typ. 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in einem DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
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