| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1164041 | STD20NF06T4 | N-CHANNEL 60V - 0.032 OHM - 24A DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164042 | STD20NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.038 OHM - 30A IPAK/DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164043 | STD20NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.038 OHM - 30A IPAK/DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164044 | STD20NF10T4 | N-CHANNEL 100V - 0.038 OHM - 30A IPAK/DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164045 | STD20NF20 | N-Kanal 200V - 0.10Ohm -18A- DPAK / TO-220 / TO-220FP | ST Microelectronics |
| 1164046 | STD22NM20N | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 22A DPAK ULTRA NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNGMDmesh II Mosfet | ST Microelectronics |
| 1164047 | STD22NM20N | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 22A DPAK ULTRA NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNGMDmesh II Mosfet | ST Microelectronics |
| 1164048 | STD22NM20N | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 22A DPAK ULTRA NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNGMDmesh II Mosfet | ST Microelectronics |
| 1164049 | STD22NM20NT4 | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 22A DPAK ULTRA NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNGMDmesh II Mosfet | ST Microelectronics |
| 1164050 | STD22NM20NT4 | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 22A DPAK ULTRA NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNGMDmesh II Mosfet | ST Microelectronics |
| 1164051 | STD22NM20NT4 | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 22A DPAK ULTRA NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNGMDmesh II Mosfet | ST Microelectronics |
| 1164052 | STD25N10F7 | N-Kanal 100 V, 0.027 Ohm typ., 25 A, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1164053 | STD25NE03L | N - FÜHRUNG 30V - 0.019 Ohm - 25A - TO-251/TO-252 STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164054 | STD25NE03L | N-CHANNEL MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164055 | STD25NF10 | N-CHANNEL 100V 0.033 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-25A DPAK NIEDRIGER | ST Microelectronics |
| 1164056 | STD25NF10 | N-CHANNEL 100V 0.033 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-25A DPAK NIEDRIGER | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164057 | STD25NF10L | N-CHANNEL 100V - 0.030 OHM - 25A DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164058 | STD25NF10LA | N-Kanal 100 V, 0.030 Ohm, 25 A, DPAK STripFET (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164059 | STD25NF10LT4 | N-CHANNEL 100V - 0.030 OHM - 25A DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164060 | STD25NF10T4 | N-CHANNEL 100V 0.033 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-25A DPAK NIEDRIGER | ST Microelectronics |
| 1164061 | STD25NF20 | N-Kanal 200 V, 0,10 Ohm typ. 18 A STripFET (TM) Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1164062 | STD26NF10 | N-Kanal 100V - 0.033Ohm - 25A - DPAK | ST Microelectronics |
| 1164063 | STD26P3LLH6 | P-Kanal 30 V, 0,024 Ohm typ. 12 A, STripFET (TM) VI DeepGATE Power MOSFET in einem DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1164064 | STD2805 | Niederspannungs schnell schaltende PNP-Leistungstransistor | ST Microelectronics |
| 1164065 | STD2805T4 | Niederspannungs schnell schaltende PNP-Leistungstransistor | ST Microelectronics |
| 1164066 | STD29NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.015 OHM - 29A IPAK/DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164067 | STD29NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.015 OHM - 29A IPAK/DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164068 | STD29NF03L | N - FÜHRUNG 30V - 0.018 Ohm - 29A DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164069 | STD29NF03LT4 | N-CHANNEL 30V - 0.015 OHM - 29A IPAK/DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164070 | STD2HNK60Z | N-Kanal 600 V, 4,4 Ohm, 2 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1164071 | STD2HNK60Z-1 | N-CHANNEL 600V - 4.4 OHM - 2.0A TO-220FP/TO-92/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164072 | STD2LN60K3 | N-Kanal 600 V, 4 Ohm typ., 2 A, SuperMESH3 (TM) Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1164073 | STD2N50 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164074 | STD2N50 | N-CHANNEL MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164075 | STD2N50-1 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1164076 | STD2N50-1 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164077 | STD2N62K3 | N-Kanal 620 V, 3 Ohm typ. 2,2 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1164078 | STD2N80K5 | N-Kanal 800 V, 3,5 Ohm typ., 2 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1164079 | STD2N95K5 | N-Kanal 950 V, 4,2 Ohm typ., 2 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1164080 | STD2NA50 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
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