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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1164161STD30NF06N-CHANNEL 60V - 0.020 OHM - 28A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164162STD30NF06N-CHANNEL 60V - 0.020 OHM - 28A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1164163STD30NF06LN-CHANNEL 60V 0.022 OHM 35A DPAK/IPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164164STD30NF06LN-CHANNEL 60V 0.022 OHM 35A DPAK/IPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1164165STD30NF06L-1N-CHANNEL 60V 0.022 OHM 35A DPAK/IPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164166STD30NF06LT4N-CHANNEL 60V 0.022 OHM 35A DPAK/IPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164167STD30NF06T4N-CHANNEL 60V - 0.020 OHM - 28A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164168STD30PF03LP-CHANNEL 30V 0.025 ENERGIE MOSFET DES OHM-24A DPAK/IPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164169STD30PF03LP-CHANNEL 30V 0.025 ENERGIE MOSFET DES OHM-24A DPAK/IPAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1164170STD30PF03L-1P-CHANNEL 30V 0.025 ENERGIE MOSFET DES OHM-24A DPAK/IPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164171STD30PF03L-1P-CHANNEL 30V 0.025 ENERGIE MOSFET DES OHM-24A DPAK/IPAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1164172STD30PF03LT4P-CHANNEL 30V - 0.025 OHM - 24A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164173STD35N3LH5N-Kanal-30 V, 14 mOhm ;, 35 A, DPAK STripFET (TM); V-Leistungs-MOSFETST Microelectronics
1164174STD35NF06N-CHANNEL 60V 0.018 OHM 55A - DPAK - STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164175STD35NF06N-CHANNEL 60V 0.018 OHM 55A - DPAK - STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1164176STD35NF06LN-CHANNEL 60V 0.014 OHM35A DPAK STRIPFET II MOSFETST Microelectronics
1164177STD35NF06LN-CHANNEL 60V 0.014 OHM35A DPAK STRIPFET II MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1164178STD35NF06LT4N-CHANNEL 60V 0.014 OHM35A DPAK STRIPFET II MOSFETST Microelectronics
1164179STD35NF06T4N-CHANNEL 60V 0.018 OHM 55A - DPAK - STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics



1164180STD35NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.014 OHM - 35A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164181STD35NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.014 OHM - 35A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1164182STD35NF3LL-1N-CHANNEL 30V - 0.014 OHM - 35A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164183STD35NF3LL-1N-CHANNEL 30V - 0.014 OHM - 35A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1164184STD35NF3LLT4N-CHANNEL 30V - 0.014 OHM - 35A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164185STD38NF03LN-CHANNEL 30V - 0.011 OHM - 38A DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164186STD38NF03LN-CHANNEL 30V - 0.011 OHM - 38A DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1164187STD38NF03LN - FÜHRUNG 30V - 0.013 Ohm - 38A TO-252 STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1164188STD38NH02LN-CHANNEL 24V - 0.011 OHM - 38A DPAK/IPAK STRIPFET III ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164189STD38NH02LT4N-CHANNEL 24V - 0.011 OHM - 38A DPAK/IPAK STRIPFET III ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1164190STD3LN62K3N-Kanal 620 V, 2,5 Ohm, 2,5 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET DPAKST Microelectronics
1164191STD3N25ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1164192STD3N25ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1164193STD3N25N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1164194STD3N30N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1164195STD3N30-1ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1164196STD3N30-1ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1164197STD3N30LN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1164198STD3N30L-1ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1164199STD3N30L-1ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1164200STD3N40K3N-Kanal 400 V, 2,7 Ohm typ., 2 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in einem DPAK-GehäuseST Microelectronics
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