| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1180041 | STU6N65K3 | N-Kanal 650 V, 1,1 Ohm typ. 5,4 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1180042 | STU6N65M2 | N-Kanal 650 V, 1,2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1180043 | STU6N95K5 | N-Kanal 950 V, 1 Ohm typ., 9 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1180044 | STU6NA100 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180045 | STU6NA100 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180046 | STU6NA100 | N - FÜHRUNG 1000V - 1.45W - 6A - Max220, SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180047 | STU6NA90 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180048 | STU6NA90 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180049 | STU6NA90 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180050 | STU6NF10 | N-Kanal 100 V, 0,22 Î ©, 6 A, DPAK, IPAK niedrige Gate-Ladung STripFETÍ ?? 2; 2; Leistungs-MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180051 | STU75N3LLH6 | N-Kanal-30 V, 0,0042 Ohm, 75 A, IPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180052 | STU7N60M2 | N-Kanal 600 V, 0,86 Ohm typ., 5 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1180053 | STU7N65M2 | N-Kanal 650 V, 0,96 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in einem Paket IPAK | ST Microelectronics |
| 1180054 | STU7N80K5 | N-Kanal 800 V, 0,95 Ohm typ., 6 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1180055 | STU7NA80 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180056 | STU7NA80 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180057 | STU7NA80 | N - FÜHRUNG 800V - 1.3 Ohm - 6.5A - Max220 FASTEN ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180058 | STU7NA90 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180059 | STU7NA90 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180060 | STU7NA90 | N - FÜHRUNG 900V - 1.05 Ohm - 7A - Max220 FASTEN ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180061 | STU7NB100 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180062 | STU7NB100 | N - FÜHRUNG 1000V - 1.2W - 7.3A - Max220, PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180063 | STU7NB90 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180064 | STU7NB90 | N - FÜHRUNG 900V - 1.2 Ohm - 7.3A - Max220 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180065 | STU7NB90 | N-CHANNEL 900V - 1.1 OHM - 7.3A - MAX220/MAX220I POWERMESH MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180066 | STU7NB90I | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180067 | STU7NB90I | N-CHANNEL 900V - 1.1 OHM - 7.3A - MAX220/MAX220I POWERMESH MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180068 | STU7NF25 | N-Kanal 250 V 0,29 Ohm typ. 8 A, STripFET (TM) II Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1180069 | STU7NM60N | N-Kanal 600 V, 5 A, 0,84 Ohm MDmesh (TM) II Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1180070 | STU80N4F6 | N-Kanal-40 V, 5,8 mOhm typ. 80 A, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180071 | STU85N3LH5 | N-Kanal-30 V, 0,0042 Ohm, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK | ST Microelectronics |
| 1180072 | STU8N65M5 | N-Kanal 650 V, 0,56 Ohm, 7 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in IPAK | ST Microelectronics |
| 1180073 | STU8N80K5 | N-Kanal 800 V, 0,8 Ohm typ., 6 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1180074 | STU8NA80 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180075 | STU8NA80 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180076 | STU8NA80 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180077 | STU8NB90 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180078 | STU8NB90 | N-CHANNEL 900V - 0.7 Ohm - 8.9A - Max220 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180079 | STU8NC90Z | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180080 | STU8NC90Z | N-CHANNEL 900V 1.1 OHM 7.6A MAX220/I-MAX220 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
