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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1180081STU8NC90ZIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1180082STU8NC90ZIN-CHANNEL 900V 1.1 OHM 7.6A MAX220/I-MAX220 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1180083STU8NM50NN-Kanal 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in IPAKST Microelectronics
1180084STU90N4F3N-Kanal 40V - 5,4 Ohm - 80A - DPAK - TO-220 - IPAKST Microelectronics
1180085STU9N60M2N-Kanal 600 V, 0,72 Ohm typ. 5,5 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in IPAK PaketST Microelectronics
1180086STU9N65M2N-Kanal 650 V, 0,79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK PaketST Microelectronics
1180087STU9NA60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1180088STU9NA60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1180089STU9NA60N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1180090STU9NB80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1180091STU9NB80N-CHANNEL 800V - 0.85 Ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1180092STU9NC80N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-SchütztePowerMESH¢âIII MosfetST Microelectronics
1180093STU9NC80N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-SchütztePowerMESH¢âIII MosfetST Microelectronics
1180094STU9NC80ZALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1180095STU9NC80ZIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1180096STU9NC90ZIN-CHANNEL 900V - 1.1ohm - 7.6A Max220/I-Max220 Zener-SchütztePowerMESH¢âIII MosfetST Microelectronics
1180097STU9NC90ZIN-CHANNEL 900V - 1.1ohm - 7.6A Max220/I-Max220 Zener-SchütztePowerMESH¢âIII MosfetST Microelectronics
1180098STUB010OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180099STUB011OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors



1180100STUB012OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180101STUB013OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180102STUB015OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180103STUB016OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180104STUB018OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180105STUB020OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180106STUB022OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180107STUB024OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180108STUB027OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180109STUB030OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180110STUB033OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180111STUB036OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180112STUB039OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180113STUB043OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180114STUB047OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180115STUB051OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180116STUB056OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180117STUB062OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180118STUB068Arbeiten Spitzensperrspannung: 58,1 V, 1 mA, 400 W Surface Mount Transient Voltage SuppressorEIC discrete Semiconductors
1180119STUB06IOBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖREREIC discrete Semiconductors
1180120STUB075Arbeiten Spitzensperrspannung: 64,1 V, 1 mA, 400 W Surface Mount Transient Voltage SuppressorEIC discrete Semiconductors
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