Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
1180081 | STU8NC90ZI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1180082 | STU8NC90ZI | N-CHANNEL 900V 1.1 OHM 7.6A MAX220/I-MAX220 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
1180083 | STU8NM50N | N-Kanal 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in IPAK | ST Microelectronics |
1180084 | STU90N4F3 | N-Kanal 40V - 5,4 Ohm - 80A - DPAK - TO-220 - IPAK | ST Microelectronics |
1180085 | STU9N60M2 | N-Kanal 600 V, 0,72 Ohm typ. 5,5 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
1180086 | STU9N65M2 | N-Kanal 650 V, 0,79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
1180087 | STU9NA60 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1180088 | STU9NA60 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1180089 | STU9NA60 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
1180090 | STU9NB80 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1180091 | STU9NB80 | N-CHANNEL 800V - 0.85 Ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
1180092 | STU9NC80 | N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-SchütztePowerMESH¢âIII Mosfet | ST Microelectronics |
1180093 | STU9NC80 | N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-SchütztePowerMESH¢âIII Mosfet | ST Microelectronics |
1180094 | STU9NC80Z | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1180095 | STU9NC80ZI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1180096 | STU9NC90ZI | N-CHANNEL 900V - 1.1ohm - 7.6A Max220/I-Max220 Zener-SchütztePowerMESH¢âIII Mosfet | ST Microelectronics |
1180097 | STU9NC90ZI | N-CHANNEL 900V - 1.1ohm - 7.6A Max220/I-Max220 Zener-SchütztePowerMESH¢âIII Mosfet | ST Microelectronics |
1180098 | STUB010 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180099 | STUB011 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180100 | STUB012 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180101 | STUB013 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180102 | STUB015 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180103 | STUB016 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180104 | STUB018 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180105 | STUB020 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180106 | STUB022 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180107 | STUB024 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180108 | STUB027 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180109 | STUB030 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180110 | STUB033 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180111 | STUB036 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180112 | STUB039 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180113 | STUB043 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180114 | STUB047 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180115 | STUB051 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180116 | STUB056 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180117 | STUB062 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180118 | STUB068 | Arbeiten Spitzensperrspannung: 58,1 V, 1 mA, 400 W Surface Mount Transient Voltage Suppressor | EIC discrete Semiconductors |
1180119 | STUB06I | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
1180120 | STUB075 | Arbeiten Spitzensperrspannung: 64,1 V, 1 mA, 400 W Surface Mount Transient Voltage Suppressor | EIC discrete Semiconductors |
| | | |