Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
53401 | 2SC2468 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Hitachi Semiconductor |
53402 | 2SC2468 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Hitachi Semiconductor |
53403 | 2SC2469 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Hitachi Semiconductor |
53404 | 2SC2469 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Hitachi Semiconductor |
53405 | 2SC2471 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
53406 | 2SC2471 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
53407 | 2SC2472 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Unknow |
53408 | 2SC2472 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Unknow |
53409 | 2SC2480 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz für Tuners | Panasonic |
53410 | 2SC2482 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DESTRANSISTOR-SILIKON-NPN UND VERSTÄRKER, FARBE FERNSEHAPPARAT HORIZ.TREIBER UND FARBE FERNSEHAPPARAT FARBENREINHEIT-OUTPUT-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
53411 | 2SC2484 | Silikon-NPN epitaktischen Basis-Mesa-Transistor, 80V, 5A | Panasonic |
53412 | 2SC2485 | NIEDRIGER LESA TRANSISTOR DES SILIKON-EPITAXAL | Panasonic |
53413 | 2SC2486 | NIEDRIGER LESA TRANSISTOR DES SILIKON-EPITAXAL | Panasonic |
53414 | 2SC2488 | SI NPN EPITAXIAL- MESA | Panasonic |
53415 | 2SC2489 | SI NPN EPITAXIAL- MESA | Panasonic |
53416 | 2SC2497 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Andere | Panasonic |
53417 | 2SC2497A | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Andere | Panasonic |
53418 | 2SC2498 | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendung Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
53419 | 2SC2500 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN MITTLERE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
53420 | 2SC2502 | ENERGIE TRANSISTORS(6.0A, 400v, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
53421 | 2SC2504 | 100W T10V | Shindengen |
53422 | 2SC2510 | EPITAXIAL- PLANARE ART 2~30MHZ SSB LINEARE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN (SPANNUNG GEBRAUCH DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN DES VERSORGUNGSMATERIAL-28V) | TOSHIBA |
53423 | 2SC2512 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
53424 | 2SC2512 | Dreifaches Des Silikon-NPN Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
53425 | 2SC2517 | Silikontransistor | NEC |
53426 | 2SC2517-S | Silikontransistor | NEC |
53427 | 2SC2517-Z | Silikontransistor | NEC |
53428 | 2SC2518 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
53429 | 2SC2518 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
53430 | 2SC2519 | EPITAXIAL- PLANARES DES SILIKON-NPN | Panasonic |
53431 | 2SC2519 | EPITAXIAL- PLANARES DES SILIKON-NPN | Panasonic |
53432 | 2SC2525 | SILIKON-SCHNELLENERGIE TRANSISTOR | Fujitsu Microelectronics |
53433 | 2SC2525 | TRANSISTOR (TONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
53434 | 2SC2526 | SILIKON-SCHNELLENERGIE TRANSISTOR | Fujitsu Microelectronics |
53435 | 2SC2527 | SILIKON-SCHNELLENERGIE TRANSISTOR | Fujitsu Microelectronics |
53436 | 2SC2527 | SILIKON-SCHNELLENERGIE TRANSISTOR | Fujitsu Microelectronics |
53437 | 2SC2532 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Tonfrequenz-Verstärker-Anwendungen Treiberstufe für LED Lampe Einsatztemperatur-Ausgleich Anwendungen | TOSHIBA |
53438 | 2SC2538 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
53439 | 2SC2539 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
53440 | 2SC2540 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
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