| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 53601 | 2SC2769 | FORM-ART ZWEIPOLIGE TRANSISTOREN | Unknow |
| 53602 | 2SC2769 | Schnellschaltung Transistor | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53603 | 2SC2776 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53604 | 2SC2776 | Epitaxial- Planares Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53605 | 2SC2778 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz Verstärker und andere | Panasonic |
| 53606 | 2SC2780 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-ENERGIE MINIFORM | NEC |
| 53607 | 2SC2780-T1 | Silikontransistor | NEC |
| 53608 | 2SC2780-T2 | Silikontransistor | NEC |
| 53609 | 2SC2782 | EPITAXIAL- PLANARE ART VHF BAND-ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 53610 | 2SC2783 | TRANSISTOR (UHF BAND-ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 53611 | 2SC2784 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 53612 | 2SC2784 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 53613 | 2SC2785 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 53614 | 2SC2786 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 53615 | 2SC2787 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 53616 | 2SC2790 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 53617 | 2SC2791 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 53618 | 2SC2792 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. GETASTETES NETZTEIL UND HOCHSPANNUNG, SCHALTUNG ANWENDUNGEN. SCHNELLDC-DC KONVERTER-ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
| 53619 | 2SC2793 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 53620 | 2SC2800 | NPN SPITAXIAL PLANARE ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53621 | 2SC2800 | NPN SPITAXIAL PLANARE ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53622 | 2SC2812N | 2SA1179N | SANYO |
| 53623 | 2SC2814 | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor Hohe-Friquency Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 53624 | 2SC2816 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53625 | 2SC2816 | Dreifaches Des Silikon-NPN Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 53626 | 2SC2816 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 53627 | 2SC2824 | EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN) | TOSHIBA |
| 53628 | 2SC2824 | EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN) | TOSHIBA |
| 53629 | 2SC2826 | ENERGIE TRANSISTORS(3.0A, 400v, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53630 | 2SC2831 | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Verzweigung MESA | Unknow |
| 53631 | 2SC2831 | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Verzweigung MESA | Unknow |
| 53632 | 2SC2831A | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Verzweigung MESA | Unknow |
| 53633 | 2SC2831A | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Verzweigung MESA | Unknow |
| 53634 | 2SC2832 | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Verzweigung MESA | Unknow |
| 53635 | 2SC2832 | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Verzweigung MESA | Unknow |
| 53636 | 2SC2832A | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Verzweigung MESA | Unknow |
| 53637 | 2SC2832A | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Verzweigung MESA | Unknow |
| 53638 | 2SC2833 | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Verzweigung MESA | Unknow |
| 53639 | 2SC2833 | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Verzweigung MESA | Unknow |
| 53640 | 2SC2833 | Si NPN triple diffundiert. High-Speed-Switching. | Panasonic |
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