| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 55681 | 2SC4913 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 55682 | 2SC4915 | Epitaxial- Planare Art Hochfrequenzverstärker-Anwendungen FM, Rf, MISCHUNG Des Transistor-Silikon-NPN, Wenn Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 55683 | 2SC4916 | 2SC4916 | Unknow |
| 55684 | 2SC4916 | 2SC4916 | Unknow |
| 55685 | 2SC4919 | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor-Daempfende Stromkreis-Anwendungen | SANYO |
| 55686 | 2SC4920 | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor-Daempfender Stromkreis, Treiber-Anwendungen | SANYO |
| 55687 | 2SC4921 | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor-Daempfender Stromkreis, Treiber-Anwendungen | SANYO |
| 55688 | 2SC4922 | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor-Daempfender Stromkreis, Treiber-Anwendungen | SANYO |
| 55689 | 2SC4923 | Sehr High-Definition CRT Anzeige Horizontale Ablenkung Ausgang Anwendungen | SANYO |
| 55690 | 2SC4924 | Sehr High-Definition CRT Anzeige Horizontale Ablenkung Ausgang Anwendungen | SANYO |
| 55691 | 2SC4926 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55692 | 2SC4926 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 55693 | 2SC4926 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55694 | 2SC4927 | Dreifaches Des Silikon-NPN Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 55695 | 2SC4928 | Buchstabe Anzeige Horizontaler Ablenkung Ausgang | Hitachi Semiconductor |
| 55696 | 2SC4928 | Buchstabe Anzeige Horizontaler Ablenkung Ausgang | Hitachi Semiconductor |
| 55697 | 2SC4931 | NPN Epitaxial- planares Silikon-Transistor VHF zu den UHF BreitbandNiedrig-geräusche Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 55698 | 2SC4935 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS). ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 55699 | 2SC4940 | Hoch-Spannung Schnellschaltung Transistoren/Schaltung Transistoren für Beleuchtung | Shindengen |
| 55700 | 2SC4941 | Hoch-Spannung Schnellschaltung Transistoren/Schaltung Transistoren für Beleuchtung | Shindengen |
| 55701 | 2SC4941 | Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schalt bipolaren NPN-Transistor | Shindengen |
| 55702 | 2SC4942 | Schnellhochspannungsschaltung NPN 3-diffusion Transport | NEC |
| 55703 | 2SC4944 | Epitaxial- Art Des Transistor-Silikon-NPN (Pct Prozeß) Tonfrequenz Universelle Amplefier Anwendungen | TOSHIBA |
| 55704 | 2SC4953 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Swicthing | Panasonic |
| 55705 | 2SC4954 | NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- HOCHFREQUENZTRANSISTOR-MINIFORM DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 55706 | 2SC4954-T1 | NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- HOCHFREQUENZTRANSISTOR-MINIFORM DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 55707 | 2SC4954-T2 | NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- HOCHFREQUENZTRANSISTOR-MINIFORM DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 55708 | 2SC4955 | NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- HOCHFREQUENZTRANSISTOR-MINIFORM DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 55709 | 2SC4955-T1 | NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- HOCHFREQUENZTRANSISTOR-MINIFORM DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 55710 | 2SC4955-T2 | NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- HOCHFREQUENZTRANSISTOR-MINIFORM DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 55711 | 2SC4956 | STIFTE MINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 55712 | 2SC4956-T1 | STIFTE MINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 55713 | 2SC4956-T2 | STIFTE MINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 55714 | 2SC4957 | STIFTE MINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 55715 | 2SC4957-T1 | STIFTE MINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 55716 | 2SC4957-T2 | STIFTE MINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 55717 | 2SC4957R-T1 | Mikrowellenrauscharme Verstärkung Siliziumtransistor | NEC |
| 55718 | 2SC4957R-T2 | Mikrowellenrauscharme Verstärkung Siliziumtransistor | NEC |
| 55719 | 2SC4958 | NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- HOCHFREQUENZTRANSISTOR-SUPERMINIFORM DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 55720 | 2SC4958-T1 | NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- HOCHFREQUENZTRANSISTOR-SUPERMINIFORM DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
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