Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
55721 | 2SC4958-T2 | NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- HOCHFREQUENZTRANSISTOR-SUPERMINIFORM DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
55722 | 2SC4959 | NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- HOCHFREQUENZTRANSISTOR-SUPERMINIFORM DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
55723 | 2SC4959-T1 | NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- HOCHFREQUENZTRANSISTOR-SUPERMINIFORM DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
55724 | 2SC4959-T2 | NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- HOCHFREQUENZTRANSISTOR-SUPERMINIFORM DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
55725 | 2SC4960 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Swicthing | Panasonic |
55726 | 2SC4960A | Planare Schaltung Energie type(For dreifache Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN) | Panasonic |
55727 | 2SC4964 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
55728 | 2SC4964 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
55729 | 2SC4964 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55730 | 2SC4965 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
55731 | 2SC4965 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55732 | 2SC4968 | Silikon NPN lärmarme Verstärkung des Epitaxial- Planer type(For UHF Bandes) | Panasonic |
55733 | 2SC4976 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren High-Definition CRT Anzeige Videoausgang Anwendungen | SANYO |
55734 | 2SC4977 | FORM-ART ZWEIPOLIGE TRANSISTOREN | Unknow |
55735 | 2SC4977 | FORM-ART ZWEIPOLIGE TRANSISTOREN | Unknow |
55736 | 2SC4978 | Reihe Der Niedrig-Sättigung Spannung Schaltung Transistor-/ HSV (Oberflächeneinfassung) | Shindengen |
55737 | 2SC4978 | Sättigungsarmen Hochgeschwindigkeits-Spannungsschalt Bipolartransistors | Shindengen |
55738 | 2SC4979 | Reihe Der Niedrig-Sättigung Spannung Schaltung Transistor-/ HSV (Oberflächeneinfassung) | Shindengen |
55739 | 2SC4979 | Sättigungsarmen Hochgeschwindigkeits-Spannungsschalt Bipolartransistors | Shindengen |
55740 | 2SC4980 | Reihe Der Niedrig-Sättigung Spannung Schaltung Transistor-/ HSV (Drei Anschluss-Art) | Shindengen |
55741 | 2SC4981 | Reihe Der Niedrig-Sättigung Spannung Schaltung Transistor-/ HSV (Drei Anschluss-Art) | Shindengen |
55742 | 2SC4982 | Reihe Der Niedrig-Sättigung Spannung Schaltung Transistor-/ HSV (Drei Anschluss-Art) | Shindengen |
55743 | 2SC4983 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
55744 | 2SC4984 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
55745 | 2SC4985 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Swicthing | Panasonic |
55746 | 2SC4986 | Für hohe Durchbruchspannung Hochgeschwindigkeits-Schalt | Panasonic |
55747 | 2SC4987 | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor-Schnellschaltung Anwendungen | SANYO |
55748 | 2SC4988 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
55749 | 2SC4988 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
55750 | 2SC4988 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55751 | 2SC4989 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
55752 | 2SC4993 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
55753 | 2SC4993 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
55754 | 2SC4994 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
55755 | 2SC4994 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
55756 | 2SC4995 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
55757 | 2SC4995 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
55758 | 2SC4995 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55759 | 2SC5000 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
55760 | 2SC5001 | Transistoren > Mittlere Energie Zweipoliges Transistors(0.5W-1.0W) | ROHM |
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