| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 567401 | IRF1010NSTRR | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567402 | IRF1010Z | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567403 | IRF1010ZL | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567404 | IRF1010ZS | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567405 | IRF1104 | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567406 | IRF1104L | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567407 | IRF1104PBF | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567408 | IRF1104S | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567409 | IRF1104STRL | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567410 | IRF1104STRR | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567411 | IRF120 | N-Führung Energie MOSFETs/ 11 A 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567412 | IRF120 | 8.0A und 9.2A/ 80V und 100V/ Energie MOSFETs 0.27 und 0.36 Ohm-N-Channel/ | Intersil |
| 567413 | IRF120 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567414 | IRF120 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 32A. | General Electric Solid State |
| 567415 | IRF120-123 | N-Führung Energie MOSFETs/ 11 A 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567416 | IRF121 | N-Führung Energie MOSFETs/ 11 A 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567417 | IRF121 | 8.0A und 9.2A/ 80V und 100V/ Energie MOSFETs 0.27 und 0.36 Ohm-N-Channel/ | Intersil |
| 567418 | IRF121 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567419 | IRF121 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 32A. | General Electric Solid State |
| 567420 | IRF122 | N-Führung Energie MOSFETs/ 11 A 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567421 | IRF122 | 8.0A und 9.2A/ 80V und 100V/ Energie MOSFETs 0.27 und 0.36 Ohm-N-Channel/ | Intersil |
| 567422 | IRF122 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567423 | IRF122 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 28A. | General Electric Solid State |
| 567424 | IRF123 | N-Führung Energie MOSFETs/ 11 A 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567425 | IRF123 | 8.0A und 9.2A/ 80V und 100V/ Energie MOSFETs 0.27 und 0.36 Ohm-N-Channel/ | Intersil |
| 567426 | IRF123 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567427 | IRF123 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 28A. | General Electric Solid State |
| 567428 | IRF130 | 100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 567429 | IRF130 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 567430 | IRF130 | N-Führung Energie MOSFETs/ 20 A 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567431 | IRF130 | 14A/ 100V/ 0.160 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 567432 | IRF130 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567433 | IRF130 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 56A. | General Electric Solid State |
| 567434 | IRF130-133 | N-Führung Energie MOSFETs/ 20 A 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567435 | IRF1302 | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567436 | IRF1302L | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567437 | IRF1302S | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567438 | IRF130SMD | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET FÜR HI.REL ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 567439 | IRF131 | N-Führung Energie MOSFETs/ 20 A 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567440 | IRF131 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
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