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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
567441IRF131N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 56A.General Electric Solid State
567442IRF13112A und 14A, 80V und 100V, 0,16 und 0,23 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567443IRF1310N100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567444IRF1310NL100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
567445IRF1310NS100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567446IRF1310NSTRL100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567447IRF1310NSTRR100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567448IRF1310S100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567449IRF131280V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567450IRF1312L80V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
567451IRF1312S80V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567452IRF1312STRL80V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567453IRF1312STRR80V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567454IRF132N-Führung Energie MOSFETs/ 20 A 60-100 VFairchild Semiconductor
567455IRF132N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567456IRF132N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 48A.General Electric Solid State
567457IRF13212A und 14A, 80V und 100V, 0,16 und 0,23 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567458IRF133N-Führung Energie MOSFETs/ 20 A 60-100 VFairchild Semiconductor



567459IRF133N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567460IRF133N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 48A.General Electric Solid State
567461IRF13312A und 14A, 80V und 100V, 0,16 und 0,23 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567462IRF140100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE PaketInternational Rectifier
567463IRF140N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSemeLAB
567464IRF140N-Führung Energie MOSFETs/ 27 A 60-100VFairchild Semiconductor
567465IRF14028A/ 100V/ 0.077 Ohm N-Führung Energie MosfetIntersil
567466IRF140N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567467IRF140-143N-Führung Energie MOSFETs/ 27 A 60-100VFairchild Semiconductor
567468IRF140440V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567469IRF1404L40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
567470IRF1404LPBF40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
567471IRF1404PBF40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567472IRF1404S40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567473IRF1404SPBF40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567474IRF1404STRL40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567475IRF1404STRR40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567476IRF1404Z40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567477IRF1404ZL40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
567478IRF1404ZS40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567479IRF140555V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567480IRF1405L55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
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