| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 568001 | IRF530A | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | Fairchild Semiconductor |
| 568002 | IRF530F1 | N-Kanal-MOSFET, 100V, 9A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568003 | IRF530FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 568004 | IRF530FI | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 568005 | IRF530FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 568006 | IRF530FP | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 568007 | IRF530FP | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 568008 | IRF530L | Energie MOSFET(Vdss=100V/ Rds(on)=0.11ohm/ Id=17A) | International Rectifier |
| 568009 | IRF530N | N-Führung TrenchMOS(tm) Transistor | Philips |
| 568010 | IRF530N | 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Führung, Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568011 | IRF530N | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568012 | IRF530N | 22A/ 100V/ 0.064 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 568013 | IRF530NL | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 568014 | IRF530NLPBF | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 568015 | IRF530NPBF | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568016 | IRF530NS | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568017 | IRF530NSPBF | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568018 | IRF530NSTRL | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568019 | IRF530NSTRR | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568020 | IRF530PBF | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568021 | IRF530S | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568022 | IRF530STRL | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568023 | IRF530STRR | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568024 | IRF531 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ENERGIE DES SILIKON-GATTER-TMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR auf | Motorola |
| 568025 | IRF531 | N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETs | Supertex Inc |
| 568026 | IRF531 | N-Führung Energie MOSFETs/ 20 A 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 568027 | IRF531 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 568028 | IRF531 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 14A. | General Electric Solid State |
| 568029 | IRF531 | N-Kanal-MOSFET, 80V, 14A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568030 | IRF531F1 | N-Kanal-MOSFET, 80V, 9A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568031 | IRF531FI | N FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 568032 | IRF531FI | N FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 568033 | IRF532 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ENERGIE DES SILIKON-GATTER-TMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR auf | Motorola |
| 568034 | IRF532 | N-Führung Energie MOSFETs/ 20 A 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 568035 | IRF532 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 568036 | IRF532 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 568037 | IRF532 | N-Kanal-MOSFET, 100V, 12A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568038 | IRF532F1 | N-Kanal-MOSFET, 100V, 8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568039 | IRF532FI | N FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 568040 | IRF532FI | N FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
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