| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 567841 | IRF400 | 50W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHT | etc |
| 567842 | IRF4104 | 40V Single N-Führung Automobil-HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567843 | IRF4104L | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567844 | IRF4104S | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567845 | IRF420 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567846 | IRF420 | 2.2A und 2.5A/ 450V und 500V/ 3.0 und 4.0 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567847 | IRF420 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567848 | IRF420 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567849 | IRF420-423 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567850 | IRF421 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567851 | IRF421 | 2.2A und 2.5A/ 450V und 500V/ 3.0 und 4.0 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567852 | IRF421 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567853 | IRF421 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567854 | IRF422 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567855 | IRF422 | 2.2A und 2.5A/ 450V und 500V/ 3.0 und 4.0 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567856 | IRF422 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567857 | IRF422 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 567858 | IRF423 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567859 | IRF423 | 2.2A und 2.5A/ 450V und 500V/ 3.0 und 4.0 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567860 | IRF423 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567861 | IRF423 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 567862 | IRF430 | 500V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 567863 | IRF430 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 567864 | IRF430 | N-Führung Energie MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 567865 | IRF430 | 4.5A/ 500V/ 1.500 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 567866 | IRF430 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567867 | IRF430 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567868 | IRF430-433 | N-Führung Energie MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 567869 | IRF431 | N-Führung Energie MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 567870 | IRF431 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567871 | IRF431 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567872 | IRF431 | 4.0A und 4.5A 450V und 500V, 1,5 und 2,0 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567873 | IRF432 | N-Führung Energie MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 567874 | IRF432 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567875 | IRF432 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567876 | IRF432 | 4.0A und 4.5A 450V und 500V, 1,5 und 2,0 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567877 | IRF433 | N-Führung Energie MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 567878 | IRF433 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567879 | IRF433 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567880 | IRF433 | 4.0A und 4.5A 450V und 500V, 1,5 und 2,0 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
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