| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1162561 | STB20NM60D | 600V N-canal - 0.26Y - 20A - D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162562 | STB20NM60T4 | N-canal 600V - 0,25 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162563 | STB20PF75 | P-canal 75V - 0,10 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 20A DPAK STripFET™II | ST Microelectronics |
| 1162564 | STB20PF75T4 | P-canal 75V - 0,10 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 20A DPAK STripFET™II | ST Microelectronics |
| 1162565 | STB210NF02 | N-canal 20V - 0,0026 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162566 | STB210NF02 | N-canal 20V - 0,0026 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162567 | STB210NF02-1 | N-canal 20V - 0,0026 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162568 | STB210NF02-1 | N-canal 20V - 0,0026 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162569 | STB210NF02T4 | N-canal 20V - 0,0026 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162570 | STB21N65M5 | Canal N 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162571 | STB21N90K5 | Canal N 900 V, 0,25 Ohm, 18,5 protegido por Zener Un D2PAK SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia | ST Microelectronics |
| 1162572 | STB21NK50Z | Canal N 500 V - 0.23 Y - 17 A - D2PAK Zener protegido superMESHTM MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162573 | STB21NM60ND | Canal N 600 V, 0,17 Ohm tip., 17 A, FDmesh (TM) II Power MOSFET (whit diodo rápido) en el paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162574 | STB22NE03L | N-canal 30V - 0,034 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 2À D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162575 | STB22NE03L | N-canal 30V - 0,034 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 2À D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162576 | STB22NE03L | N - CANAL 30V - 0,034 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 2À To-263 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162577 | STB22NM50 | N-canal 500 V - 0,16 OHMIOS - 20 Un Mosfet de la ENERGÍA De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162578 | STB22NM50-1 | N-canal 500 V - 0,16 OHMIOS - 20 Un Mosfet de la ENERGÍA De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162579 | STB22NM60 | N-canal 600 V - 0,19 OHMIOS - 22 Un Mosfet de la ENERGÍA De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162580 | STB22NM60-1 | N-canal 600 V - 0,19 OHMIOS - 22 Un Mosfet de la ENERGÍA De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162581 | STB22NM60N | Canal N 600 V, 0,2 Ohm, 16 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162582 | STB22NS25Z | el OHMIO 2À To-220/D2PAK Del N-canal 250V 0,13 Zener-protegio' el Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO | ST Microelectronics |
| 1162583 | STB22NS25ZT4 | el OHMIO 2À To-220/D2PAK Del N-canal 250V 0,13 Zener-protegio' el Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO | ST Microelectronics |
| 1162584 | STB23NM50N | Canal N 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, D2PAK MDmesh (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162585 | STB23NM60ND | Canal N 600 V, 0.150 Ohm, 19.5 A, FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162586 | STB24N60DM2 | Canal N 600 V, 0.175 Ohm tip., 18 A FDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162587 | STB24N60M2 | Canal N 600 V, 0.168 Ohm tip., 18 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162588 | STB24NF10 | N-canal 100V - 0,055 OHMIOS - 2Ã To-220/Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162589 | STB24NF10 | N-canal 100V - 0,07 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 2Â D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162590 | STB24NF10 | N - CANAL 100V - Los 0.07Ohm - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 2Â To-263 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162591 | STB24NF10T4 | N-canal 100V - 0,055 OHMIOS - 2Ã To-220/Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162592 | STB24NM60N | Canal N 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II Power MOSFET D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162593 | STB24NM65N | Canal N 650 V - 0.16 Y - 19 A - A-220 / FP - D2 / I2PAK - TO-247 de segunda generación MDmesh ™ Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162594 | STB25N80K5 | Canal N 800 V, 0,19 Ohm tip., 19.5 Una SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162595 | STB25NM50N | N-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohmios - 21,5 Mosfet De MDmesh de la GENERACIÓN De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 SEGUNDOS | ST Microelectronics |
| 1162596 | STB25NM50N-1 | N-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohmios - 21,5 Mosfet De MDmesh de la GENERACIÓN De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 SEGUNDOS | ST Microelectronics |
| 1162597 | STB25NM50NT4 | N-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohmios - 21,5 Mosfet De MDmesh de la GENERACIÓN De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 SEGUNDOS | ST Microelectronics |
| 1162598 | STB25NM60N | Mosfet De MDmesh de la GENERACIÓN Del N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 SEGUNDO | ST Microelectronics |
| 1162599 | STB25NM60N-1 | Mosfet De MDmesh de la GENERACIÓN Del N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 SEGUNDO | ST Microelectronics |
| 1162600 | STB25NM60ND | Canal N 600 V, 0,13 Ohm típ. 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en el paquete D2PAK | ST Microelectronics |
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