| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1162641 | STB36NF02L | N-canal 20V - 0,016 W - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 3Ã D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162642 | STB36NF03L | N-canal 30V - 0,015 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 3Ã D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162643 | STB36NF03L | N-canal 30V - 0,015 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 3Ã D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162644 | STB36NF03L | N - CANAL 30V - 0,015 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 3Ã D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162645 | STB36NF03LT4 | N-canal 30V - 0,015 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 3Ã D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162646 | STB36NF06L | N-canal 60V - 0,032 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 30A D2pak/to-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162647 | STB36NF06LT4 | N-canal 60V - 0,032 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 30A D2pak/to-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162648 | STB36NM60N | Automotive grado de canal N 600 V, 0.092 Ohm típ. 29 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162649 | STB36NM60ND | Automotive grado de canal N 600 V, 0.097 Ohm típ. 29 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en el paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162650 | STB38N65M5 | Canal N 650 V, 0.073 Ohm tip., 30 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162651 | STB3N60-1 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1162652 | STB3N60-1 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162653 | STB3NA60-1 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162654 | STB3NA80 | TRANSISTOR RÁPIDO del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | ST Microelectronics |
| 1162655 | STB3NA80 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162656 | STB3NB60 | N-canal 600V - 3,3 OHMIOS - 3,3 A - Mosfet de D2PAK/I2PAK POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1162657 | STB3NB60 | N - CANAL 600V - 3,3 Ohmios - 3.Á - Mosfet De D 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162658 | STB3NB60T4 | N-canal 600V - 3,3 OHMIOS - 3,3 A - Mosfet de D2PAK/I2PAK POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1162659 | STB3NC60 | N-canal 600V - 3,3 OHMIOS - Á - Mosfet de D2PAK/I2PAK POWERMESH II | ST Microelectronics |
| 1162660 | STB3NC60 | N - CANAL 600V - Mosfet De los 3.Óhm -á-d 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162661 | STB3NC60T4 | N-canal 600V - 3,3 OHMIOS - Á - Mosfet de D2PAK/I2PAK POWERMESH II | ST Microelectronics |
| 1162662 | STB3NC90 | N-CHANNEL 900V - 3.2W - Mosfet Zener-Protegido D2PAK De3.5A PowerMESH.?I | ST Microelectronics |
| 1162663 | STB3NC90 | N-CHANNEL 900V - 3.2W - Mosfet Zener-Protegido D2PAK De3.5A PowerMESH.?I | ST Microelectronics |
| 1162664 | STB3NC90Z | el OHMIO 3.Ä D2PAK Del N-canal 900V 3,2 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1162665 | STB3NC90Z | el OHMIO 3.Ä D2PAK Del N-canal 900V 3,2 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162666 | STB3NC90Z-1 | el OHMIO 3.Ä To-220/to-220fp/i2pak Del N-canal 900V 3,2 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1162667 | STB3NC90Z-1 | el OHMIO 3.Ä To-220/to-220fp/i2pak Del N-canal 900V 3,2 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162668 | STB3NK60Z | El N-canal 600V - 3,3 OHMIOS - 2. To-220/to-220fp/d2pak/dpak/ipak Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1162669 | STB3NK60ZT4 | El N-canal 600V - 3,3 OHMIOS - 2. To-220/to-220fp/d2pak/dpak/ipak Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1162670 | STB40N20 | N-CHANNEL 200V - 0.038 OHMIO - Mosfet BAJO De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 40A TO-220/TO-247/D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162671 | STB40N20 | N-CHANNEL 200V - 0.038 OHMIO - Mosfet BAJO De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 40A TO-220/TO-247/D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162672 | STB40N60M2 | Canal N 600 V, 0.078 Ohm tip., 34 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en encapsulado TO-220FP | ST Microelectronics |
| 1162673 | STB40NE03L-20 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1162674 | STB40NE03L-20 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162675 | STB40NE03L-20 | N - Mosfet De la ENERGÍA Del ö Del TAMAÑO De la CARACTERÍSTICA Del ö Del MODO Del REALCE Del CANAL SOLO ] | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162676 | STB40NF03L | N-canal 30V - 0,020 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 40A D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162677 | STB40NF03L | N-canal 30V - 0,020 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 40A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162678 | STB40NF03L | N - CANAL 30V - 0,020 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 40A D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162679 | STB40NF10 | N-canal 100V - 0,024 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 50A To-220/d2pak/i2pak | ST Microelectronics |
| 1162680 | STB40NF10 | N-canal 100V - 0,025 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 40A D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
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