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| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1163841 | STD130 ASIC | Capacidades del paquete | Samsung Electronic |
| 1163842 | STD130 ASIC | Fanout máximo | Samsung Electronic |
| 1163843 | STD130 ASIC | PLL 2073X | Samsung Electronic |
| 1163844 | STD130 ASIC | Memorias Bajas De la Energía | Samsung Electronic |
| 1163845 | STD130 ASIC | Memorias De alta densidad | Samsung Electronic |
| 1163846 | STD130 ASIC | Células del IP de I/O | Samsung Electronic |
| 1163847 | STD130 ASIC | Descripción del IP de I/O& I/O | Samsung Electronic |
| 1163848 | STD130 ASIC | Glosario de términos análogos | Samsung Electronic |
| 1163849 | STD130 ASIC | Folleto STD130 | Samsung Electronic |
| 1163850 | STD130 ASIC | Células de I/O | Samsung Electronic |
| 1163851 | STD130 ASIC | Carga estándar equivalente para las capas | Samsung Electronic |
| 1163852 | STD13003 | TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | ST Microelectronics |
| 1163853 | STD13003 | TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163854 | STD13003 | Transistor De Energía Del Silicio de NPN | AUK Corp |
| 1163855 | STD13003-1 | TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | ST Microelectronics |
| 1163856 | STD13003L | Transistor De Energía Del Silicio de NPN | AUK Corp |
| 1163857 | STD13003T4 | TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | ST Microelectronics |
| 1163858 | STD13005F | Transistor De Energía Del Silicio de NPN | AUK Corp |
| 1163859 | STD13005FC | Transistor De Energía Del Silicio de NPN | AUK Corp |
| 1163860 | STD13007F | Transistor De Energía Del Silicio de NPN | AUK Corp |
| 1163861 | STD13007FC | Transistor De Energía Del Silicio de NPN | AUK Corp |
| 1163862 | STD131 ASIC | Contenido Del Libro | Samsung Electronic |
| 1163863 | STD131 ASIC | Glosario de términos análogos | Samsung Electronic |
| 1163864 | STD131 ASIC | Folleto STD130 | Samsung Electronic |
| 1163865 | STD131 ASIC | Carga estándar equivalente para las capas | Samsung Electronic |
| 1163866 | STD131 ASIC | Descripción del IP de I/O& I/O | Samsung Electronic |
| 1163867 | STD131 ASIC | PLL 2073X | Samsung Electronic |
| 1163868 | STD131 ASIC | Memorias Bajas De la Energía | Samsung Electronic |
| 1163869 | STD131 ASIC | Células de I/O | Samsung Electronic |
| 1163870 | STD131 ASIC | Memorias De alta densidad | Samsung Electronic |
| 1163871 | STD131 ASIC | Misceláneas Primitivas | Samsung Electronic |
| 1163872 | STD131 ASIC | Cierres Primitivos | Samsung Electronic |
| 1163873 | STD131 ASIC | Flip/Flops Primitivo | Samsung Electronic |
| 1163874 | STD131 ASIC | Células Primitivas De la Lógica | Samsung Electronic |
| 1163875 | STD131 ASIC | Descripción Primitiva | Samsung Electronic |
| 1163876 | STD131 ASIC | Células del IP de I/O | Samsung Electronic |
| 1163877 | STD131 ASIC | Características | Samsung Electronic |
| 1163878 | STD131 ASIC | Fanout máximo | Samsung Electronic |
| 1163879 | STD131 ASIC | Introducción | Samsung Electronic |
| 1163880 | STD131 ASIC | Capacidades del paquete | Samsung Electronic |
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