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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1163881STD13N60M2Canal N 600 V, 0,35 Ohm tip., 11 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en paquete DPAKST Microelectronics
1163882STD13NM60NCanal N 600 V, 0,28 Ohm tip., 11 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en paquete DPAKST Microelectronics
1163883STD13NM60NDCanal N 600 V, 0,32 Ohm tip., 11 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en el paquete DPAKST Microelectronics
1163884STD150 ASICCharacteristics(Jan. 22, 2002)Samsung Electronic
1163885STD150 ASICFlip/Flops PrimitivoSamsung Electronic
1163886STD150 ASICCélulas Primitivas De la LógicaSamsung Electronic
1163887STD150 ASICDescripción PrimitivaSamsung Electronic
1163888STD150 ASICIntroduction(Jan. 22, 2002)Samsung Electronic
1163889STD150 ASICInversor de corriente 1,0 Del Folleto STD150Samsung Electronic
1163890STD150 ASICCierres PrimitivosSamsung Electronic
1163891STD150 ASICMisceláneas PrimitivasSamsung Electronic
1163892STD150 ASICCélulas de I/OSamsung Electronic
1163893STD150 ASICMemorias De alta densidadSamsung Electronic
1163894STD150 ASICTimmingsSamsung Electronic
1163895STD150 ASICPLL2108X (de enero el 17 de 2002)Samsung Electronic
1163896STD150 ASICGlosario de términos análogosSamsung Electronic
1163897STD150 ASICCapacidades Del PaqueteSamsung Electronic
1163898STD150 ASICCélulas del IP de I/OSamsung Electronic
1163899STD150 ASICCélula De la Entrada-salidaSamsung Electronic
1163900STD150 ASICFanouts MáximoSamsung Electronic



1163901STD150N3LLH6Canal N 30 V, 0,0024 Ohm, 80 A, DPAK MOSFET de la energíaST Microelectronics
1163902STD150NH02LN-canal 24V - 0,0033 OHMIOS - Mosfet De 150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET III PARA LA CONVERSIÓN C.C.-C.C.ST Microelectronics
1163903STD150NH02LN-canal 24V - 150A MOSFET CLIPPAK / IPAK STripFET III PARA CONVERSIÓN DC-DC - 0,0033 OHMSGS Thomson Microelectronics
1163904STD150NH02L-1N-canal 24V - 0,003 OHMIOS - Mosfet De 150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1163905STD150NH02LT4N-canal 24V - 0,003 OHMIOS - Mosfet De 150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1163906STD155N3H6N-canal 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFETST Microelectronics
1163907STD155N3LH6Canal N 30 V, 0,0024 Ohm, 80 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAKST Microelectronics
1163908STD15N06VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
1163909STD15N06VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
1163910STD15N06N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
1163911STD15N06LVIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
1163912STD15N06LVIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
1163913STD15N06LN - TRANSISTOR BAJO Del MOS De la ENERGÍA Del UMBRAL Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
1163914STD15N65M5Canal N 650 V, 0.308 Ohm, 11 A MDmesh (TM) V MOSFET de potencia en el paquete DPAKST Microelectronics
1163915STD15NF10N-canal 100V - 0,060 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 2Á DPAKST Microelectronics
1163916STD15NF10N-canal 100V - 0,060 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 2Á DPAKSGS Thomson Microelectronics
1163917STD15NF10N - CANAL 100V - Los 0.07Óhm - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA Del 1Ä To-252SGS Thomson Microelectronics
1163918STD15NF10T4N-canal 100V - 0,060 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 2Á DPAKST Microelectronics
1163919STD1664equiv="content-type" content="text/html; charset=UTF-8">
1SupresoresAUK Corp
1163920STD16N50M2Canal N 500 V, 0,24 Ohm típ. 13 A MDmesh M2 Power MOSFET en un paquete DPAKST Microelectronics
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