| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1165961 | STGWT80V60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 80 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 1165962 | STGWT80V60F | Puerta Trench campo parar IGBT, serie V 600 V, 80 A muy alta velocidad | ST Microelectronics |
| 1165963 | STGY40NC60V | ¿N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 PowerMESH Muy Rápido?? IGBT | ST Microelectronics |
| 1165964 | STGY40NC60V | ¿N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 PowerMESH Muy Rápido?? IGBT | ST Microelectronics |
| 1165965 | STGY40NC60VD | N-canal 50A - 600V MAX247 POWERMESH MUY RÁPIDO "IGBT | ST Microelectronics |
| 1165966 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165967 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165968 | STGY50NB60HD | N-canal 50A - 600V MAX247 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165969 | STGY50NB60HD | N-canal 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165970 | STGY50NC60WD | Serie ultra rápido "W" | ST Microelectronics |
| 1165971 | STGY80H65DFB | Puerta Trench campo parar IGBT, serie HB 650 V, 80 A alta velocidad | ST Microelectronics |
| 1165972 | STH10NA50 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165973 | STH10NA50FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1165974 | STH10NA50FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165975 | STH10NA50FI | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165976 | STH10NC60FI | N-canal 600V - 0,6 OHMIOS - 10A - Mosfet De To-247/isowatt218 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1165977 | STH10NC60FI | N - CANAL 600V - 0.6Öhms - 10A - Mosfet De To-247/isowatt218 PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165978 | STH10NC60FI | N-canal 600V - 0,6 OHMIOS - 10A - Mosfet De To-247/isowatt218 POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165979 | STH10NK60ZFI | el OHMIO 10A Del N-canal 600V 0,65 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165980 | STH110N10F7-2 | Canal N 100 V, 4.9 mOhm tip., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Power MOSFET en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 1165981 | STH110N10F7-6 | Canal N 100 V, 4.9 mOhm tip., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Power MOSFET en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
| 1165982 | STH12N120K5-2 | Canal N 1200 V, 0.58 Ohm tip., Protegida por la Zener 12 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 1165983 | STH12NA60 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165984 | STH12NA60FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1165985 | STH12NA60FI | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165986 | STH12NA60FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165987 | STH130N10F3-2 | Canal N 100 V, 7.8 mOhm tip., 120 A STripFET (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 1165988 | STH13NB60 | N - CANAL 600V - Los 0.48ohm - 13A - Mosfet de TO-247/ISOWATT218 PowerMESH | ST Microelectronics |
| 1165989 | STH13NB60 | N - CANAL 600V - Los 0.48ohm - 13A - Mosfet de TO-247/ISOWATT218 PowerMESH | ST Microelectronics |
| 1165990 | STH13NB60FI | N - CANAL 600V - 0.48W - 1Á - Mosfet De To-247/isowatt218 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165991 | STH13NB60FI | N-canal 600V - 0,48 OHMIOS - 1Á - Mosfet De To-247/isowatt218 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1165992 | STH140N8F7-2 | Canal N 80 V, 3.3 mOhm tip., 90 A STripFET F7 Power MOSFET en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 1165993 | STH150N10F7-2 | Canal N 100 V, 0,0038 Ohm tip., 90 A STripFET F7 Power MOSFET en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
| 1165994 | STH15NA50 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165995 | STH15NA50FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1165996 | STH15NA50FI | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165997 | STH15NA50FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165998 | STH15NB50FI | TRANSISTOR MUY BAJO del MOS de la ENERGÍA de la CARGA de la PUERTA del MODO del REALCE De N-channle | ST Microelectronics |
| 1165999 | STH15NB50FI | N-canal 500V - 0.33W - 14.Ã - Mosfet De T0- 247/ISOWATT218 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1166000 | STH15NB50FI | TRANSISTOR MUY BAJO del MOS de la ENERGÍA de la CARGA de la PUERTA del MODO del REALCE De N-channle | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
