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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1166001STH16NA40FIVIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
1166002STH16NA40FIN - CANAL 400V - 0.21W - 1Ã - TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA To-247/isowatt218SGS Thomson Microelectronics
1166003STH16NA40FIVIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
1166004STH180N10F3-2Canal N 100 V, 3.9 mOhm, 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET H2PAK-2ST Microelectronics
1166005STH180N10F3-6Canal N 100 V, 3.9 mOhm, 180 A, H2PAK-6 STripFET (TM) III Power MOSFETST Microelectronics
1166006STH185N10F3-2Automotive grado de canal N 100 V, 3.9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET paquete H2PAK-2ST Microelectronics
1166007STH18NB40Mosfet del OHMIO 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Del N-canal 400V 0,19ST Microelectronics
1166008STH18NB40FIMosfet del OHMIO 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Del N-canal 400V 0,19ST Microelectronics
1166009STH18NB40FIN-canal 400V - 0.19W - Mosfet De 18. To-247/isowatt218 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1166010STH18NB40FIMosfet del OHMIO 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Del N-canal 400V 0,19SGS Thomson Microelectronics
1166011STH210N75F6-2Canal N 75 V, 0,0027 Ohm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paqueteST Microelectronics
1166012STH240N10F7-2Canal N 100 V, 0.002 Ohm tip., 180 A STripFET F7 Power MOSFET en un paquete H2PAK-2ST Microelectronics
1166013STH240N10F7-6Canal N 100 V, 0.002 Ohm tip., 180 A STripFET F7 Power MOSFET en un paquete H2PAK-6ST Microelectronics
1166014STH240N75F3-2Canal N 75 V, 2.6 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET en H2PAK-2 paqueteST Microelectronics
1166015STH240N75F3-6Canal N 75 V, 2.6 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET en H2PAK-6 paqueteST Microelectronics
1166016STH245N75F3-6Automotive grado de canal N 75 V, 2.6 mOhm tip., 180 A STripFET F3 Power MOSFET en H2PAK-6 paqueteST Microelectronics
1166017STH250N55F3-6N-canal 55 V, 2.2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III Power MOSFETST Microelectronics
1166018STH260N6F6-2Canal N 60 V, 1.7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paqueteST Microelectronics
1166019STH260N6F6-6Canal N 60 V, 1.7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-6 paqueteST Microelectronics



1166020STH270N4F3-2Canal N 40 V, 1.4 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET en H2PAK-2 paqueteST Microelectronics
1166021STH270N4F3-6Canal N 40 V, 1.4 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET en H2PAK-6 paqueteST Microelectronics
1166022STH270N8F7-2Canal N 80 V, 1.7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paqueteST Microelectronics
1166023STH270N8F7-6Canal N 80 V, 1.7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-6 paqueteST Microelectronics
1166024STH300NH02L-6Canal N 24 V, 0.95 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) MOSFET de potencia en un paquete H2PAK-6ST Microelectronics
1166025STH310N10F7-2Canal N 100 V, 1.9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paqueteST Microelectronics
1166026STH310N10F7-6Canal N 100 V, 1.9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-6 paqueteST Microelectronics
1166027STH315N10F7-2Automotive grado de canal N 100 V, 2.1 mOhm tip., 180 A STripFET F7 Power MOSFETST Microelectronics
1166028STH315N10F7-6Automotive grado de canal N 100 V, 2.1 mOhm tip., 180 A STripFET F7 Power MOSFETST Microelectronics
1166029STH320N4F6-2Canal N 40 V, 1.1 mOhm tip., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paqueteST Microelectronics
1166030STH320N4F6-6Canal N 40 V, 1.1 mOhm tip., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-6 paqueteST Microelectronics
1166031STH33N20TRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNELST Microelectronics
1166032STH33N20TRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNELST Microelectronics
1166033STH33N20FITRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNELST Microelectronics
1166034STH33N20FITRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNELST Microelectronics
1166035STH360N4F6-2Canal N 40 V, 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paqueteST Microelectronics
1166036STH3N150-2Canal N 1500 V, 6 Ohm tip., 2,5 A PowerMESH (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paqueteST Microelectronics
1166037STH400N4F6-2Automotive grado de canal N 40 V, 0.85 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en el paquete H2PAK-2ST Microelectronics
1166038STH400N4F6-6Automotive grado de canal N 40 V, 0.85 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-6 paqueteST Microelectronics
1166039STH4N90TRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNELST Microelectronics
1166040STH4N90TRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNELST Microelectronics
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