Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1166001 | STH16NA40FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1166002 | STH16NA40FI | N - CANAL 400V - 0.21W - 1Ã - TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA To-247/isowatt218 | SGS Thomson Microelectronics |
1166003 | STH16NA40FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1166004 | STH180N10F3-2 | Canal N 100 V, 3.9 mOhm, 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET H2PAK-2 | ST Microelectronics |
1166005 | STH180N10F3-6 | Canal N 100 V, 3.9 mOhm, 180 A, H2PAK-6 STripFET (TM) III Power MOSFET | ST Microelectronics |
1166006 | STH185N10F3-2 | Automotive grado de canal N 100 V, 3.9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET paquete H2PAK-2 | ST Microelectronics |
1166007 | STH18NB40 | Mosfet del OHMIO 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Del N-canal 400V 0,19 | ST Microelectronics |
1166008 | STH18NB40FI | Mosfet del OHMIO 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Del N-canal 400V 0,19 | ST Microelectronics |
1166009 | STH18NB40FI | N-canal 400V - 0.19W - Mosfet De 18. To-247/isowatt218 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1166010 | STH18NB40FI | Mosfet del OHMIO 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Del N-canal 400V 0,19 | SGS Thomson Microelectronics |
1166011 | STH210N75F6-2 | Canal N 75 V, 0,0027 Ohm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
1166012 | STH240N10F7-2 | Canal N 100 V, 0.002 Ohm tip., 180 A STripFET F7 Power MOSFET en un paquete H2PAK-2 | ST Microelectronics |
1166013 | STH240N10F7-6 | Canal N 100 V, 0.002 Ohm tip., 180 A STripFET F7 Power MOSFET en un paquete H2PAK-6 | ST Microelectronics |
1166014 | STH240N75F3-2 | Canal N 75 V, 2.6 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
1166015 | STH240N75F3-6 | Canal N 75 V, 2.6 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
1166016 | STH245N75F3-6 | Automotive grado de canal N 75 V, 2.6 mOhm tip., 180 A STripFET F3 Power MOSFET en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
1166017 | STH250N55F3-6 | N-canal 55 V, 2.2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III Power MOSFET | ST Microelectronics |
1166018 | STH260N6F6-2 | Canal N 60 V, 1.7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
1166019 | STH260N6F6-6 | Canal N 60 V, 1.7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
1166020 | STH270N4F3-2 | Canal N 40 V, 1.4 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
1166021 | STH270N4F3-6 | Canal N 40 V, 1.4 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
1166022 | STH270N8F7-2 | Canal N 80 V, 1.7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
1166023 | STH270N8F7-6 | Canal N 80 V, 1.7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
1166024 | STH300NH02L-6 | Canal N 24 V, 0.95 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) MOSFET de potencia en un paquete H2PAK-6 | ST Microelectronics |
1166025 | STH310N10F7-2 | Canal N 100 V, 1.9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
1166026 | STH310N10F7-6 | Canal N 100 V, 1.9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
1166027 | STH315N10F7-2 | Automotive grado de canal N 100 V, 2.1 mOhm tip., 180 A STripFET F7 Power MOSFET | ST Microelectronics |
1166028 | STH315N10F7-6 | Automotive grado de canal N 100 V, 2.1 mOhm tip., 180 A STripFET F7 Power MOSFET | ST Microelectronics |
1166029 | STH320N4F6-2 | Canal N 40 V, 1.1 mOhm tip., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
1166030 | STH320N4F6-6 | Canal N 40 V, 1.1 mOhm tip., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
1166031 | STH33N20 | TRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNEL | ST Microelectronics |
1166032 | STH33N20 | TRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNEL | ST Microelectronics |
1166033 | STH33N20FI | TRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNEL | ST Microelectronics |
1166034 | STH33N20FI | TRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNEL | ST Microelectronics |
1166035 | STH360N4F6-2 | Canal N 40 V, 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
1166036 | STH3N150-2 | Canal N 1500 V, 6 Ohm tip., 2,5 A PowerMESH (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-2 paquete | ST Microelectronics |
1166037 | STH400N4F6-2 | Automotive grado de canal N 40 V, 0.85 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en el paquete H2PAK-2 | ST Microelectronics |
1166038 | STH400N4F6-6 | Automotive grado de canal N 40 V, 0.85 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en H2PAK-6 paquete | ST Microelectronics |
1166039 | STH4N90 | TRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNEL | ST Microelectronics |
1166040 | STH4N90 | TRANSISTOR DEL MOS DE LA ENERGÍA DEL MODO DEL REALCE DE N-CHANNEL | ST Microelectronics |
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