| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 250921 | BC635-10 | NPN transistores de potencia media | Philips |
| 250922 | BC635-16 | Transistores de energía medios de NPN | Philips |
| 250923 | BC635-16 | Propósito General de 0.800W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 1.000A Ic, 100-250 hFE | Continental Device India Limited |
| 250924 | BC635-AP | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL NPN | ST Microelectronics |
| 250925 | BC635-AP | Señal pequeña NPN DEL TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 250926 | BC635-D | Silicio Actual Alto De los Transistores NPN | ON Semiconductor |
| 250927 | BC635RL1 | Transistor Actual Alto | ON Semiconductor |
| 250928 | BC635ZL1 | Transistor Actual Alto | ON Semiconductor |
| 250929 | BC635_D26Z | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250930 | BC635_D27Z | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250931 | BC635_D75Z | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250932 | BC635_L34Z | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250933 | BC636 | Transistores de energía medios de PNP | Philips |
| 250934 | BC636 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250935 | BC636 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL PNP | ST Microelectronics |
| 250936 | BC636 | Transistor del Af Del Silicio de PNP | Infineon |
| 250937 | BC636 | TRANSISTORES DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 250938 | BC636 | Transistores del AF del silicio de PNP (alta alta corriente de colector del aumento actual) | Siemens |
| 250939 | BC636 | Transistores Actuales Altos | Motorola |
| 250940 | BC636 | Silicio Actual Alto De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 250941 | BC636 | Propósito 0.800W general PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 1.000A Ic, 40 - 250 hFE | Continental Device India Limited |
| 250942 | BC636 | PEQUEÑO DE LA SEÑAL PNP DEL TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 250943 | BC636 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Vcer = -45V, VCES = -45V, VCEO = -45V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
| 250944 | BC636-10 | Transistores de energía medios de PNP | Philips |
| 250945 | BC636-10 | Propósito 0.800W general PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 1.000A Ic, 25 - hFE | Continental Device India Limited |
| 250946 | BC636-16 | Transistores de energía medios de PNP | Philips |
| 250947 | BC636-16ZL1 | Transistores Actuales Altos | ON Semiconductor |
| 250948 | BC636-16ZL1 | Transistores Actuales Altos | ON Semiconductor |
| 250949 | BC636-AP | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL PNP | ST Microelectronics |
| 250950 | BC636-AP | PEQUEÑO DE LA SEÑAL PNP DEL TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 250951 | BC636-D | Silicio Actual Alto De los Transistores PNP | ON Semiconductor |
| 250952 | BC636BU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250953 | BC636TA | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250954 | BC636TAR | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250955 | BC636TF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250956 | BC636TFR | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250957 | BC636ZL1 | Transistores Actuales Altos | ON Semiconductor |
| 250958 | BC636ZL1 | Transistores Actuales Altos | ON Semiconductor |
| 250959 | BC637 | Transistores de energía medios de NPN | Philips |
| 250960 | BC637 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
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